摘要:
介绍了一系列聚苯撑乙烯(PPV)型半导体聚合物的合成和表征。这些新的聚合物每隔两个亚苯基环被两个相同长度的烷基取代,所述两个烷基为己基,庚基,辛基,壬基,癸基,十一烷基和十二烷基。聚合物是由相应的二烷基二醛通过在高沸点溶剂混合物中与1,4-双(二乙基膦酰基甲基)苯进行的霍纳-沃兹沃思-埃蒙斯缩合反应合成的。发现纯化的聚合物具有在0.01-0.1 cm 2 V -1 s -1范围内的载流子迁移率PR-TRMC技术测得的载流子寿命约为0.1-5 ms。粉末X射线衍射研究为电荷载流子迁移率和寿命出乎意料的大幅度变化提供了可能的解释,该研究提供了假定的结构模型。最后,通过紫外光电子能谱研究了电子结构,并通过以合适的光正性掩模照射为特征的聚合物薄膜的光降解性能,从而允许随后的掺杂以提供高度各向异性的导电图案。