4,4'-bis(5-iodo-N-methylphthalimide) | 1265622-63-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机卤素化合物 - 芳基卤化物
• 英文名称: 4,4'-bis(5-iodo-N-methylphthalimide)
• CAS: 1265622-63-6
• 化学式: C₁₈H₁₀I₂N₂O₄
• 分子量: 572.097
• InChiKey: CLHLFTGKPSRTMH-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.01
• 重原子数：
  26.0
• 可旋转键数：
  1.0
• 环数：
  4.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.11
• 拓扑面积：
  74.76
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  4.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  4,4'-bis(5-iodo-N-methylphthalimide) 在 水 、 potassium hydroxide 作用下， 反应 24.0h， 以99%的产率得到2,2'-diiodobiphenyl-4,4',5,5'-tetracarboxylic acid
  参考文献：
  名称：

  Synthesis and memory characteristics of highly organo-soluble polyimides bearing a noncoplanar twisted biphenyl unit containing aromatic side-chain groups

  摘要：

  两种新型 3′,4′,5′-三氟联苯基芳香族聚酰亚胺单体，2,2′-双[4′-(3′′,4′′,5′′-三氟苯基)苯基]-4、4′-联苯二胺（BTFBPD）和 2,2′-双[4′-(3′′′,4′′,5′′-三氟苯基)苯基]-4,4′,5,5′-联苯四羧酸二酐（BTFBPDA）的合成。利用 BTFBPD 与 2,2′-二苯基-4,4′,5,5′-联苯四羧酸二酐 (DPBPDA) 和 BTFBPDA 反应，通过两步法制备了两种氟化聚酰亚胺 (PI)：PI(BTFBPD-DPBPDA) 和 PI(BTFBPD-BTFBPDA)。用单晶 X 射线衍射分析对 BTFBPD 进行了表征，其几何参数显示出非共面扭曲特性。PI 具有高度的有机溶解性和热稳定性。夹在铟锡氧化物（ITO）底电极和铝顶电极之间的 PI 薄膜显示出两种可触及的导电状态，并可从低导电状态切换到高导电状态。配置为 Al/PI(BTFBPD-DPBPDA)/ITO 的存储器件具有闪存功能，而 Al/PI(BTFBPD-BTFBPDA)/ITO 则具有一次写入、多次读取（WORM）的存储器功能。所制造的器件的开启阈值电压较低，分别为-1.3 V（PI(BTFBPD-DPBPDA)）和-1.7 V（PI(BTFBPD-BTFBPDA)），开启/关闭电流比均为 103 至 104。

  DOI：

  10.1039/c0jm02547j
• 作为产物：
  描述：

  4,4'-bis(N-methylphthalimide) 在 potassium iodate 、 硫酸 、 碘 作用下， 以 水 为溶剂， 反应 24.0h， 以80%的产率得到4,4'-bis(5-iodo-N-methylphthalimide)
  参考文献：
  名称：

  Synthesis and memory characteristics of highly organo-soluble polyimides bearing a noncoplanar twisted biphenyl unit containing aromatic side-chain groups

  摘要：

  两种新型 3′,4′,5′-三氟联苯基芳香族聚酰亚胺单体，2,2′-双[4′-(3′′,4′′,5′′-三氟苯基)苯基]-4、4′-联苯二胺（BTFBPD）和 2,2′-双[4′-(3′′′,4′′,5′′-三氟苯基)苯基]-4,4′,5,5′-联苯四羧酸二酐（BTFBPDA）的合成。利用 BTFBPD 与 2,2′-二苯基-4,4′,5,5′-联苯四羧酸二酐 (DPBPDA) 和 BTFBPDA 反应，通过两步法制备了两种氟化聚酰亚胺 (PI)：PI(BTFBPD-DPBPDA) 和 PI(BTFBPD-BTFBPDA)。用单晶 X 射线衍射分析对 BTFBPD 进行了表征，其几何参数显示出非共面扭曲特性。PI 具有高度的有机溶解性和热稳定性。夹在铟锡氧化物（ITO）底电极和铝顶电极之间的 PI 薄膜显示出两种可触及的导电状态，并可从低导电状态切换到高导电状态。配置为 Al/PI(BTFBPD-DPBPDA)/ITO 的存储器件具有闪存功能，而 Al/PI(BTFBPD-BTFBPDA)/ITO 则具有一次写入、多次读取（WORM）的存储器功能。所制造的器件的开启阈值电压较低，分别为-1.3 V（PI(BTFBPD-DPBPDA)）和-1.7 V（PI(BTFBPD-BTFBPDA)），开启/关闭电流比均为 103 至 104。

  DOI：

  10.1039/c0jm02547j