合成了新型的
噻吩并[3,4-b]吡嗪类,它们在π-共轭
噻吩基的吸电子部分上具有
噻吩基和乙二氧基苯基单元。研究了结构差异对所得聚合物的电
化学和光电性能的影响。官能团的电子性质的改变使得能够通过将氧化电势从0.62V(D
TTP)降低至0.56V(DBTP)来调节π-共轭的
噻吩基单体的电
化学性质。光谱电
化学分析表明,中性聚合物(PDBTP)在中性状态下呈深绿色,在410和751 nm的两个分离良好的谱带中显示出π–π *跃迁。发现聚合物的电子带隙定义为π–π *跃迁的起点,为1.0 eV。使用
噻吩基单元代替乙二氧基苯基,观察到带隙(0.95 eV)出现红移。聚合物PD
TTP表现出多色电致变色,可以在深黄色中性态,绿色中间态和棕色氧化态之间切换。PDBTP还显示了具有三种不同状态的多色电致变色行为:中性状态为深绿色,中间状态为棕色,褐色到紫色被氧化。