5,10,15-hexa(p-hydroxyphenyl)truxene | 911818-56-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 芴
• 英文名称: 5,10,15-hexa(p-hydroxyphenyl)truxene
• 英文别名: 4-[9,18,18,27,27-Pentakis(4-hydroxyphenyl)-9-heptacyclo[18.7.0.02,10.03,8.011,19.012,17.021,26]heptacosa-1(20),2(10),3,5,7,11(19),12,14,16,21,23,25-dodecaenyl]phenol
• CAS: 911818-56-9
• 化学式: C₆₃H₄₂O₆
• 分子量: 895.023
• InChiKey: PLYXDEJEJMTQOL-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  14
• 重原子数：
  69
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  13.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.05
• 拓扑面积：
  121
• 氢给体数：
  6
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  5,10,15-hexa(p-hydroxyphenyl)truxene 、 溴乙酸乙酯 在 potassium carbonate 、 potassium iodide 作用下， 以 乙腈 为溶剂， 反应 24.0h， 以91.6%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  Manipulating the nanostructure of organogels generated from molecules with a 3-dimensional truxene core

  摘要：

  两种新的基于楚克森的三维（3-D）分子在环己烷中自组装成有机凝胶，其囊状和纤维状纳米形态受接枝到刚性三维核心上的外围烷基氨基侧链的取代模式支配。

  DOI：

  10.1039/c2cc00099g
• 作为产物：
  描述：

  5,10,15-hexa(p-methoxyphenyl)truxene 在 三溴化硼 作用下， 以 二氯甲烷 为溶剂， 反应 24.0h， 以98.5%的产率得到5,10,15-hexa(p-hydroxyphenyl)truxene
  参考文献：
  名称：

  5,10,15-六芳基Tru烯的轻松合成：结构和性能

  摘要：

  已经开发了5,10,15-六芳基甲苯衍生物的新合成。实验观察和理论计算证实，在sp 3-杂化桥碳原子上芳基取代基的存在对戊烯核的光物理性质有影响。有趣的是，通过X射线衍射分析证实了具有畸变的戊烯核的笼状化合物11。由于其分子刚性，外围芳基取代基对戊二烯核的光物理性质的影响减小了。

  DOI：

  10.1021/ol200227w

文献信息

• RESIST UNDERLAYER FILM COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS USING THE SAME
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US20130087529A1

  公开（公告）日：2013-04-11

  There is disclosed A resist underlayer film composition, the resist underlayer film composition contains a truxene compound having a substituted or an unsubstituted naphthol group as shown by the following general formula (1). There can be provided a resist underlayer film composition to form a resist underlayer film being capable of reducing reflectance and having high etching resistance, heat resistance.

  公开了一种抗蚀底层膜组合物，该抗蚀底层膜组合物包含一种三苯乙烷化合物，其具有如下通式（1）所示的取代或未取代萘酚基。可以提供一种抗蚀底层膜组合物，以形成一种能够减少反射并具有高蚀刻抗性和耐热性的抗蚀底层膜。
• RESIST TOP COAT COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：US20130089820A1

  公开（公告）日：2013-04-11

  There is disclosed a resist top coat composition, used in a patterning process onto a photoresist film, wherein a resist top coat is formed by using the resist top coat composition onto a photoresist film formed on a wafer, and then, after exposure, removal of the resist top coat and development of the photoresist film are performed to effect the patterning on the photoresist film, wherein the resist top coat composition contains a truxene compound having phenol groups shown by the following general formula (1). As a result, there is provided a resist top coat composition not only having an effect from an environment to a resist film reduced and effectively shielding an OOB light, but also reducing film loss of a resist pattern and bridging between patterns and having an effect to enhance sensitivity of the resist; and a patterning process using this.
• US9146468B2
  申请人：——

  公开号：US9146468B2

  公开（公告）日：2015-09-29