4-(sec-butyl)phenyl acetate | 3245-24-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯酚酯
• 英文名称: 4-(sec-butyl)phenyl acetate
• 英文别名: 4-sec-Butyl-phenylacetat；acetic acid-(4-sec-butyl-phenyl ester)；4-Acetoxy-1-sek.-butyl-benzol；(4-sek.-Butyl-phenyl)-acetat；Essigsaeure-(4-sec-butyl-phenylester)；4(2'-butyl) phenyl acetate；p-Sec-butylphenyl acetate；(4-butan-2-ylphenyl) acetate
• CAS: 3245-24-7
• 化学式: C₁₂H₁₆O₂
• 分子量: 192.258
• InChiKey: CECFXTLUSUSYDG-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.4
• 重原子数：
  14
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.42
• 拓扑面积：
  26.3
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  4-(sec-butyl)phenyl acetate 在 三氯化铝 作用下， 以84%的产率得到6-Hydroxy-3-sec.butyl-acetophenon
  参考文献：
  名称：

  Über 4,6-disubstituierte 2-Aminophenole

  摘要：

  DOI：

  10.1055/s-1982-30007
• 作为产物：
  描述：

  4-(2-(formyloxy)butan-2-yl)phenyl acetate 在 三乙基硅烷 、 Bis(2,3,4,5,6-pentafluorophenyl)-(2,3,4,5-tetrafluoro-6-methylphenyl)borane 作用下， 以 二氯甲烷 为溶剂， 以99%的产率得到4-(sec-butyl)phenyl acetate
  参考文献：
  名称：

  在室温下生物启发的α支链脂肪醛的无金属形式脱羰

  摘要：

  通过一系列的Baeyer-Villiger氧化和Lewis酸促进的Et 3 SiH甲酸还原反应，可实现叔和仲脂族醛的无金属正式脱羰作用。这种新方法模仿了传统的Tsuji-Wilkinson型反应中已知的通过氧化C-C键裂解而不是C（O）-H键活化的生物合成脱羰途径。底物范围是对现有过渡金属催化方案的补充。

  DOI：

  10.1002/chem.201902082

文献信息

• POSITIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
  申请人：NISHI Tsunehiro

  公开号：US20100062374A1

  公开（公告）日：2010-03-11

  A positive resist composition comprises (A) a resin component which becomes soluble in an alkaline developer under the action of an acid and (B) an acid generator. The resin (A) is a polymer comprising recurring units containing a non-leaving hydroxyl group represented by formula (1) wherein R 1 is H, methyl or trifluoromethyl, X is a single bond or methylene, m is 1 or 2, and the hydroxyl group attaches to a secondary carbon atom. The composition is improved in resolution when processed by lithography.

  一种正性光刻胶组合物包括（A）在酸的作用下在碱性显影剂中变得可溶的树脂组分和（B）酸发生剂。树脂（A）是一种聚合物，包含由式（1）表示的非离去羟基的重复单元，其中R1为H、甲基或三氟甲基，X为单键或亚甲基，m为1或2，并且羟基连接到次级碳原子。当通过光刻工艺处理时，该组合物在分辨率方面得到改善。
• MONOMER, POLYMER, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US20170131635A1

  公开（公告）日：2017-05-11

  A monomer of formula (1a) or (1b) is provided wherein A is a polymerizable group, R 1 -R 6 are monovalent hydrocarbon groups, X 1 is a divalent hydrocarbon group, Z 1 is an aliphatic group, Z 2 forms an alicyclic group, k=0 or 1, m=1 or 2, n=1 to 4. A useful polymer is obtained by polymerizing the monomer. A resist composition comprising the polymer has improved development properties and is processed to form a negative pattern having high contrast, high resolution and etch resistance which is insoluble in alkaline developer.

  提供了一个化学式为（1a）或（1b）的单体，其中A是一个可聚合的基团，R1-R6是一价碳氢基团，X1是一个二价碳氢基团，Z1是一个脂肪基团，Z2形成一个脂环基团，k=0或1，m=1或2，n=1到4。通过聚合单体得到了一种有用的聚合物。包含该聚合物的抗蚀组合物具有改善的显影性能，并且经过处理形成具有高对比度、高分辨率和耐蚀性的负图案，该负图案在碱性显影剂中不溶。
• SULFONIUM SALT, ACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, PHOTOMASK BLANK, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：OHASHI Masaki

  公开号：US20100143830A1

  公开（公告）日：2010-06-10

  A sulfonium salt has formula (1) wherein R 1 is a monovalent hydrocarbon group except vinyl and isopropenyl, R 2 , R 3 , and R 4 are alkyl, alkenyl, oxoalkyl, aryl, aralkyl or aryloxoalkyl or may bond together to form a ring with the sulfur atom, and n is 1 to 3. A chemically amplified resist composition comprising the sulfonium salt is capable of forming a fine feature pattern of good profile after development due to high resolution, improved focal latitude, and minimized line width variation and profile degradation upon prolonged PED.

  一种硫铵盐的化学式为（1），其中R1是一种一价碳氢基团，但不包括乙烯基和异丙烯基，R2、R3和R4是烷基、烯基、氧代烷基、芳基、芳基烷基或芳基氧代烷基，或者它们可以相互连接形成与硫原子的环，并且n为1至3。包含该硫铵盐的化学增感抗剂组合物能够由于高分辨率、改善的焦距宽度、以及在长时间PED后最小化线宽变化和剖面降解而形成良好剖面的精细特征图案。
• RESIST COMPOSITION CONTAINING NOVEL SULFONIUM COMPOUND, PATTERN-FORMING METHOD USING THE RESIST COMPOSITION, AND NOVEL SULFONIUM COMPOUND
  申请人：KAMIMURA Sou

  公开号：US20090042124A1

  公开（公告）日：2009-02-12

  A resist composition includes (A) a compound represented by the following formula (I): wherein each of R 1 to R 13 independently represents a hydrogen atom or a substituent, provided that at least one of R 1 to R 13 is a substituent containing an alcoholic hydroxyl group; Z represents a single bond or a divalent linking group; and X − represents an anion containing a proton acceptor functional group.

  一种抗性组合物包括(A)由以下公式（I）所代表的化合物：其中R1至R13中的每一个独立地代表氢原子或取代基，前提是R1至R13中至少有一个是含有醇羟基的取代基；Z代表单键或二价连接基团；X-代表含有质子受体功能基团的阴离子。
• PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, COMPOUND FOR USE IN THE PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, AND PATTERN-FORMING METHOD USING THE PHOTOSENSITIVE COMPOSITION
  申请人：Kawanishi Yasutomo

  公开号：US20080081288A1

  公开（公告）日：2008-04-03

  A photosensitive composition includes (A) a compound represented by the following formula (I): wherein R 1 to R 13 each independently represents a hydrogen atom or a substituent, Z represents a single bond or a divalent linking group, and X − represents an anion containing a proton acceptor functional group.

  一种光敏组合物包括(A) 由下式(I)所表示的化合物：其中R1至R13各自独立地表示氢原子或取代基，Z表示单键或二价连接基团，X-表示含有质子受体功能基团的阴离子。

表征谱图