3,3''',4'''',3'''''''-Tetradodecyl-[2,2';5',2'';5'',2''';5''',2'''';5'''',2''''';5''''',2'''''';5'''''',2''''''']octithiophene

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 双噻吩和低聚噻吩
• 英文名称: 3,3''',4'''',3'''''''-Tetradodecyl-[2,2';5',2'';5'',2''';5''',2'''';5'''',2''''';5''''',2'''''';5'''''',2''''''']octithiophene
• 英文别名: 3-Dodecyl-5-[4-dodecyl-5-[5-[5-(3-dodecyl-2-thienyl)-2-thienyl]-2-thienyl]-2-thienyl]-2-[5-[5-(3-dodecyl-2-thienyl)-2-thienyl]-2-thienyl]thiophene；3-dodecyl-5-[4-dodecyl-5-[5-[5-(3-dodecylthiophen-2-yl)thiophen-2-yl]thiophen-2-yl]thiophen-2-yl]-2-[5-[5-(3-dodecylthiophen-2-yl)thiophen-2-yl]thiophen-2-yl]thiophene
• 化学式: C₈₀H₁₁₄S₈
• 分子量: 1332.31
• InChiKey: CHALGSZHEKMIFE-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  36.1
• 重原子数：
  88
• 可旋转键数：
  51
• 环数：
  8.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.6
• 拓扑面积：
  226
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  8

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  3,3''',4'''',3'''''''-Tetradodecyl-[2,2';5',2'';5'',2''';5''',2'''';5'''',2''''';5''''',2'''''';5'''''',2''''''']octithiophene 在 N-溴代丁二酰亚胺(NBS) 、 溶剂黄146 作用下， 以 氯仿 为溶剂， 以50%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  纯寡聚/聚（烷基噻吩）的合成、电子结构、分子堆积/形态演化和载流子迁移率

  摘要：

  单分散的共轭低聚噻吩由于其有趣的光学、光电和电荷传输特性而在基础科学和应用科学中受到关注。这些“低分子量”聚合物用作相应聚合物类似物的模型结构，其本质上是多分散的。在这里，我们报告了具有多达六个双十二烷基四噻吩 (DDQT) 结构单元重复单元（即 24 个噻吩单元）的单分散低聚噻吩的合成、电子结构、分子堆积/形态和电荷传输特性。在达到有效共轭长度时，电子结构显示出与相应聚合物聚（3,3”-二十二烷基四噻吩）（PQT-12）的收敛行为。二聚体 (DDQT-2) 的 X 射线晶体结构分析表明，末端噻吩表现出同步构象，类似于在三聚体 (DDQT-3) 中观察到的末端同步构象。二聚体还表现出末端烷基侧链的罕见弯曲，以防止与连接到核心噻吩的相邻氢的空间位阻。掠入射 X 射线散射测量揭示了薄膜中从小分子状堆积到聚合物状堆积的形态演变，在有效共轭长度附近发生了形态转变。电荷传输测量显示流动性随着链长度的

  DOI：

  10.1021/ja3104796
• 作为产物：
  描述：

  5,5′-双(3-十二烷基-2-噻吩基)-2,2′-联噻吩 在 N-溴代丁二酰亚胺(NBS) 、 四(三苯基膦)钯 、 六正丁基二锡 、 溶剂黄146 作用下， 以 氯仿 、 甲苯 为溶剂， 生成 3,3''',4'''',3'''''''-Tetradodecyl-[2,2';5',2'';5'',2''';5''',2'''';5'''',2''''';5''''',2'''''';5'''''',2''''''']octithiophene
  参考文献：
  名称：

  纯寡聚/聚（烷基噻吩）的合成、电子结构、分子堆积/形态演化和载流子迁移率

  摘要：

  单分散的共轭低聚噻吩由于其有趣的光学、光电和电荷传输特性而在基础科学和应用科学中受到关注。这些“低分子量”聚合物用作相应聚合物类似物的模型结构，其本质上是多分散的。在这里，我们报告了具有多达六个双十二烷基四噻吩 (DDQT) 结构单元重复单元（即 24 个噻吩单元）的单分散低聚噻吩的合成、电子结构、分子堆积/形态和电荷传输特性。在达到有效共轭长度时，电子结构显示出与相应聚合物聚（3,3”-二十二烷基四噻吩）（PQT-12）的收敛行为。二聚体 (DDQT-2) 的 X 射线晶体结构分析表明，末端噻吩表现出同步构象，类似于在三聚体 (DDQT-3) 中观察到的末端同步构象。二聚体还表现出末端烷基侧链的罕见弯曲，以防止与连接到核心噻吩的相邻氢的空间位阻。掠入射 X 射线散射测量揭示了薄膜中从小分子状堆积到聚合物状堆积的形态演变，在有效共轭长度附近发生了形态转变。电荷传输测量显示流动性随着链长度的

  DOI：

  10.1021/ja3104796

文献信息

• SMALL MOLECULAR THIOPHENE COMPOUND
  申请人：Ong S. Beng

  公开号：US20080108833A1

  公开（公告）日：2008-05-08

  A small molecular thiophene compound consisting of a plurality of thiophene units, each thiophene unit being represented by structure (A) wherein each thiophene unit is bonded at either or both of the second ring position and the fifth ring position, wherein m is 0, 1, or 2, wherein each thiophene unit is the same or different from each other in terms of substituent number, substituent identity, and substituent position, wherein each R 1 is independently selected from the group consisting of: (a) a hydrocarbon group, (b) a heteroatom containing group, and (c) a halogen, wherein there is at least one thiophene unit where R 1 is present at the third ring position or the fourth ring position, or at both the third ring position and the fourth ring position, wherein for any two adjacent thiophene units as represented by structure (A1): there is excluded the simultaneous presence of the same or different R 1 at the 3-position of one thiophene unit and at the 3′-position of the other thiophene unit wherein R 1 is not part of a cyclic ring structure fused to the thiophene unit.

  一种由多个噻吩单元组成的小分子噻吩化合物，每个噻吩单元由结构（A）表示，其中每个噻吩单元在第二环位置和第五环位置中的任一处或两处结合，其中m为0、1或2，每个噻吩单元在取代基数量、取代基身份和取代基位置方面相同或不同，每个R1独立地选自以下组：（a）碳氢基团，（b）含杂原子的基团和（c）卤素，其中至少有一个噻吩单元在第三环位置或第四环位置存在R1，或者同时在第三环位置和第四环位置存在R1，在由结构（A1）表示的任意两个相邻的噻吩单元中，排除了同时存在相同或不同的R1在一个噻吩单元的3位和另一个噻吩单元的3'位的情况，其中R1不是融合到噻吩单元的环状环结构的一部分。
• Processes to prepare small molecular thiophene compounds
  申请人：Liu Ping

  公开号：US20050277776A1

  公开（公告）日：2005-12-15

  A process composed of subjecting a reaction mixture comprising a reaction medium, a coupling agent, and a precursor to a coupling temperature to preferentially form a desired small molecular thiophene compound in a single-step synthesis, wherein the precursor consists of: (i) an optional divalent linkage, and (ii) a plurality of thiophene units, each thiophene unit being represented by structure (A) wherein each thiophene unit is bonded at either or both of the second ring position and the fifth ring position.

  将一种包括反应介质、偶联剂和前体的反应混合物置于偶联温度下，以优先形成所需的小分子噻吩化合物的过程，从而在单步合成中形成，其中前体包括：(i) 可选的二价连接部分，和 (ii) 多个噻吩单元，每个噻吩单元由结构(A)表示，其中每个噻吩单元在第二环位置和/或第五环位置之一或两者上发生键合。
• SMALL MOLECULAR THIOPHENE COMPOUND HAVING DIVALENT LINKAGE
  申请人：Ong S. Beng

  公开号：US20080108834A1

  公开（公告）日：2008-05-08

  A small molecular thiophene compound consisting of: at least one divalent linkage; and a plurality of thiophene units, each thiophene unit being represented by structure (A) wherein each thiophene unit is bonded at either or both of the second ring position and the fifth ring position, wherein m is 0, 1, or 2, wherein each thiophene unit is the same or different from each other in terms of substituent number, substituent identity, and substituent position, wherein each R 1 is independently selected from the group consisting of: (a) a hydrocarbon group, (b) a heteroatom containing group, and (c) a halogen, wherein there is at least one thiophene unit where R 1 is present at the third ring position or the fourth ring position, or at both the third ring position and the fourth ring position, wherein for any two adjacent thiophene units as represented by structure (A1): there is excluded the simultaneous presence of the same or different R 1 at the 3-position of one thiophene unit and at the 3′-position of the other thiophene unit, and wherein the number of the thiophene units is at least 6.

  一种由以下组成的小分子噻吩化合物：至少一个二价键；和多个噻吩单元，每个噻吩单元由结构(A)表示，其中每个噻吩单元在第二环位置和/或第五环位置之一或两者处结合，其中m为0、1或2，每个噻吩单元在取代基数目、取代基身份和取代基位置方面相同或不同，其中每个R1独立地选自以下组：(a) 烃基，(b) 含杂原子基团，和(c) 卤素，其中至少有一个噻吩单元中R1存在于第三环位置或第四环位置，或同时存在于第三环位置和第四环位置，对于由结构(A1)表示的任意两个相邻的噻吩单元：不允许同时存在相同或不同的R1在一个噻吩单元的3-位置和另一个噻吩单元的3'-位置，且噻吩单元的数量至少为6。
• Organic Semiconductor Thin Film, Organic Semiconductor Device, Organic Thin Film Transistor and Organic Electronic Luminescence Element
  申请人：Tanaka Tatsuo

  公开号：US20080048181A1

  公开（公告）日：2008-02-28

  An organic semiconductor thin film, comprising an organic semiconductor compound, wherein the organic semiconductor thin film is manufactured by a process of forming a film by using a solution or a dispersion at room temperature prepared by mixing the organic semiconductor compound and an organic solvent, and the half width of a diffraction peak having the maximum intensity is 0.4° or less in an X-ray diffraction spectrum of the film.
• ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR
  申请人：Hirai Katsura

  公开号：US20090114908A1

  公开（公告）日：2009-05-07

  Disclosed is an organic semiconductor thin film having excellent coating property and high carrier mobility. Also disclosed are an organic thin film transistor using such an organic semiconductor thin film, and a method for manufacturing such an organic thin film transistor. Specifically disclosed is an organic semiconductor thin film formed on a substrate subjected to a surface treatment. This organic semiconductor thin film is characterized in that a surface treating agent used in the surface treatment has a terminal structure represented by a specific general formula.