Bis[[5-[5-(5-ethylthiophen-2-yl)thiophen-2-yl]thiophen-2-yl]-dimethylsilyl]methyl-[5-[5-(5-ethylthiophen-2-yl)thiophen-2-yl]thiophen-2-yl]-dimethylsilane | 1256158-54-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 双噻吩和低聚噻吩
• 英文名称: Bis[[5-[5-(5-ethylthiophen-2-yl)thiophen-2-yl]thiophen-2-yl]-dimethylsilyl]methyl-[5-[5-(5-ethylthiophen-2-yl)thiophen-2-yl]thiophen-2-yl]-dimethylsilane
• 英文别名: bis[[5-[5-(5-ethylthiophen-2-yl)thiophen-2-yl]thiophen-2-yl]-dimethylsilyl]methyl-[5-[5-(5-ethylthiophen-2-yl)thiophen-2-yl]thiophen-2-yl]-dimethylsilane
• CAS: 1256158-54-9
• 化学式: C₄₉H₅₂S₉Si₃
• 分子量: 1013.8
• InChiKey: VJXRFROHPZMJOH-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  17.52
• 重原子数：
  61
• 可旋转键数：
  15
• 环数：
  9.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.27
• 拓扑面积：
  254
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  9

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  5-ethyl-5''-bromo-2,2':5',2''-terthiophene 、 Tris(chlorodimethylsilyl)methane 在 正丁基锂 作用下， 以 乙醚 、 正己烷 为溶剂， 以21%的产率得到Bis[[5-[5-(5-ethylthiophen-2-yl)thiophen-2-yl]thiophen-2-yl]-dimethylsilyl]methyl-[5-[5-(5-ethylthiophen-2-yl)thiophen-2-yl]thiophen-2-yl]-dimethylsilane
  参考文献：
  名称：

  硅核结构对星形低聚噻吩的空穴迁移率的影响†

  摘要：

  制备了通过有机硅核连接具有三个或四个低聚噻吩单元的星形化合物，并研究了它们的空穴传输能力。具有气相沉积膜的顶接触型薄膜晶体管（TFT）三[（乙基叔硫苯基）二甲基甲硅烷基]甲基硅烷（3T 3的Si 4）显示的场效应迁移率（μ FET的4.4×10）-5厘米2 V -1s -1，而带有碳心类似物的设备三[（乙基叔硫苯基）二甲基甲硅烷基]甲烷（3T 3 Si 3 C）没有显示TFT活性。通过时间分辨微波电导率测量确定3T 3 Si 4和3T 3 Si 3 C的固有分子内空穴迁移率分别为8×10 -2和2×10 -2 cm 2 V -1s -1分别是由3T 3 Si 4中较高的σ-π相互作用度引起的。要了解有关有机硅核心结构对分子间空穴迁移率的影响的更多信息，我们计算了在（U）B3LYP / 6-311 + G（d，p）//（U）B3LYP / 6处空穴转移的内部重组能-31G（d）能级，表明硅衍

  DOI：

  10.1039/c0dt00224k

文献信息

• Effects of the silicon core structures on the hole mobility of star-shaped oligothiophenes
  作者：Joji Ohshita、Yosuke Hatanaka、Shigenori Matsui、Tomonobu Mizumo、Yoshihito Kunugi、Yoshihito Honsho、Akinori Saeki、Shu Seki、Julius Tibbelin、Henrik Ottosson、Takae Takeuchi

  DOI：10.1039/c0dt00224k

  日期：——

  know more about the effects of the organosilicon core structures on the intermolecular hole mobility, we calculated internal reorganization energies for hole transfer at the (U)B3LYP/6-311+G(d,p)//(U)B3LYP/6-31G(d) level, which suggested smoother intermolecular charge transfer in the silicon derivative than the carbon and germanium analogues. Star-shaped compounds with quarterthiophene units behave

  制备了通过有机硅核连接具有三个或四个低聚噻吩单元的星形化合物，并研究了它们的空穴传输能力。具有气相沉积膜的顶接触型薄膜晶体管（TFT）三[（乙基叔硫苯基）二甲基甲硅烷基]甲基硅烷（3T 3的Si 4）显示的场效应迁移率（μ FET的4.4×10）-5厘米2 V -1s -1，而带有碳心类似物的设备三[（乙基叔硫苯基）二甲基甲硅烷基]甲烷（3T 3 Si 3 C）没有显示TFT活性。通过时间分辨微波电导率测量确定3T 3 Si 4和3T 3 Si 3 C的固有分子内空穴迁移率分别为8×10 -2和2×10 -2 cm 2 V -1s -1分别是由3T 3 Si 4中较高的σ-π相互作用度引起的。要了解有关有机硅核心结构对分子间空穴迁移率的影响的更多信息，我们计算了在（U）B3LYP / 6-311 + G（d，p）//（U）B3LYP / 6处空穴转移的内部重组能-31G（d）能级，表明硅衍