9-(bis(4-(trifluoromethyl)phenyl)methylene)-10-(diphenylmethylene)-9,10-dihydroanthracene | 1608111-86-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: 9-(bis(4-(trifluoromethyl)phenyl)methylene)-10-(diphenylmethylene)-9,10-dihydroanthracene
• CAS: 1608111-86-9
• 化学式: C₄₂H₂₆F₆
• 分子量: 644.659
• InChiKey: HMOLCSQITYPHJD-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  10.53
• 重原子数：
  48.0
• 可旋转键数：
  4.0
• 环数：
  7.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.05
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  9-(bis(4-(trifluoromethyl)phenyl)methylene)-10-(diphenylmethylene)-9,10-dihydroanthracene 在 碘 、 methyloxirane 、 iron(III) chloride 作用下， 以 苯 、 二氯甲烷 为溶剂， 生成 4,12-Bis(trifluoromethyl)undecacyclo[30.6.2.02,7.08,37.09,14.015,36.018,35.019,24.025,34.026,31.033,38]tetraconta-1(38),2(7),3,5,8(37),9(14),10,12,15(36),16,18(35),19,21,23,25(34),26,28,30,32,39-icosaene
  参考文献：
  名称：

  对四苯并氢醌的晶体堆积和电子偶联的取代作用：结构与性质的关系†

  摘要：

  四苯并[ a，d，j，m] ron烯（TBC）是一种扭曲的多芳族分子，在晶体状态下显示出近共面的π-π堆积，并且由于堆积而产生的高电子耦合使其成为晶体管材料的潜在候选者。在外围的取代由于空间以及偶极相互作用而扰乱了堆积，因此改变了相邻分子之间的电子耦合。鉴于电荷迁移率对电子耦合的高敏感性，设计，合成和表征了一系列新的TBC衍生物，它们在1、2、3、6、7、8位具有取代基。对于这些不对称取代的衍生物，使用物理气相传输（PVT）方法制备了针状单晶，并用于晶体结构分析以及单晶场效应晶体管（SCFET）器件制造。具有含氟取代基的衍生物表现出反平行的界面或π-π堆积略有偏移，而具有庞大烷基取代基的衍生物表现出倾斜且偏移更明显的π-π堆积。晶体填充物和计算出的电子耦合/电荷迁移率与测得的SCFET迁移率的系统比较显示出大致的相关性，并阐明了以六氟化TBC作为沟道材料的SCFET的大空穴迁移率的起源。具

  DOI：

  10.1039/c4tc00296b
• 作为产物：
  描述：

  9-二苯亚甲基-10-蒽酮 在 四(三苯基膦)钯 、 potassium carbonate 、 三苯基膦 作用下， 以 乙醇 、 水 、 甲苯 为溶剂， 生成 9-(bis(4-(trifluoromethyl)phenyl)methylene)-10-(diphenylmethylene)-9,10-dihydroanthracene
  参考文献：
  名称：

  对四苯并氢醌的晶体堆积和电子偶联的取代作用：结构与性质的关系†

  摘要：

  四苯并[ a，d，j，m] ron烯（TBC）是一种扭曲的多芳族分子，在晶体状态下显示出近共面的π-π堆积，并且由于堆积而产生的高电子耦合使其成为晶体管材料的潜在候选者。在外围的取代由于空间以及偶极相互作用而扰乱了堆积，因此改变了相邻分子之间的电子耦合。鉴于电荷迁移率对电子耦合的高敏感性，设计，合成和表征了一系列新的TBC衍生物，它们在1、2、3、6、7、8位具有取代基。对于这些不对称取代的衍生物，使用物理气相传输（PVT）方法制备了针状单晶，并用于晶体结构分析以及单晶场效应晶体管（SCFET）器件制造。具有含氟取代基的衍生物表现出反平行的界面或π-π堆积略有偏移，而具有庞大烷基取代基的衍生物表现出倾斜且偏移更明显的π-π堆积。晶体填充物和计算出的电子耦合/电荷迁移率与测得的SCFET迁移率的系统比较显示出大致的相关性，并阐明了以六氟化TBC作为沟道材料的SCFET的大空穴迁移率的起源。具

  DOI：

  10.1039/c4tc00296b