2,2,3,4,5-pentamethyl-pyrrolidine | 102450-06-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 吡咯烷类
• 英文名称: 2,2,3,4,5-pentamethyl-pyrrolidine
• 英文别名: 2,2,3,4,5-Pentamethyl-pyrrolidin；2,2,3,4,5-Pentamethylpyrrolidine
• CAS: 102450-06-6
• 化学式: C₉H₁₉N
• mdl: MFCD19220982
• 分子量: 141.257
• InChiKey: QWEUHTAAGWJEJJ-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.2
• 重原子数：
  10
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  12
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  甲醇 、 3,4,5-trimethyl-5-nitro-hexan-2-one 、 alkaline earth salt of/the/ methylsulfuric acid 105.0 ℃ 、4.9 MPa 条件下， 生成 2,2,3,4,5-pentamethyl-pyrrolidine
  参考文献：
  名称：

  Booth et al., Journal of the Chemical Society, 1959, p. 1587,1589

  摘要：

  DOI：

文献信息

• [EN] HAFNIUM-CONTAINING PRECURSORS FOR VAPOR DEPOSITION<br/>[FR] PRÉCURSEURS CONTENANT DU HAFNIUM POUR UN DÉPÔT EN PHASE VAPEUR
  申请人：AIR LIQUIDE

  公开号：WO2013177284A1

  公开（公告）日：2013-11-28

  Disclosed are hafnium-containing precursors and methods of synthesizing the same. The precursors may be used to deposit hafnium oxide, hafnium silicon oxide and hafnium-metal oxide containing layers using vapor deposition methods such as chemical vapor deposition or atomic layer deposition.
• [EN] TITANIUM-CONTAINING PRECURSORS FOR VAPOR DEPOSITION<br/>[FR] PRÉCURSEURS CONTENANT DU TITANE POUR UN DÉPÔT EN PHASE VAPEUR
  申请人：AIR LIQUIDE

  公开号：WO2013177292A1

  公开（公告）日：2013-11-28

  Disclosed are titanium-containing precursors and methods of synthesizing the same. The precursors may be used to deposit titanium oxide, titanium silicon oxide and titanium-metal oxide containing layers using vapor deposition methods such as chemical vapor deposition or atomic layer deposition.
• [EN] ZIRCONIUM-CONTAINING PRECURSORS FOR VAPOR DEPOSITION<br/>[FR] PRÉCURSEURS CONTENANT DU ZIRCONIUM POUR LE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR
  申请人：AIR LIQUIDE

  公开号：WO2013177269A2

  公开（公告）日：2013-11-28

  Disclosed are zirconium-containing precursors and methods of synthesizing the same. The precursors may be used to deposit zirconium oxide, zirconium silicon oxide and zirconium-metal oxide containing layers using vapor deposition methods such as chemical vapor deposition or atomic layer deposition.