4-(diphenylphosphine oxide)-4'-[3-(9H-carbazol-9-yl)-9H-carbazol-9-yl]tetraphenylsilane | 1401234-51-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: 4-(diphenylphosphine oxide)-4'-[3-(9H-carbazol-9-yl)-9H-carbazol-9-yl]tetraphenylsilane
• 英文别名: [4-(3-Carbazol-9-ylcarbazol-9-yl)phenyl]-(4-diphenylphosphorylphenyl)-diphenylsilane；[4-(3-carbazol-9-ylcarbazol-9-yl)phenyl]-(4-diphenylphosphorylphenyl)-diphenylsilane
• CAS: 1401234-51-2
• 化学式: C₆₀H₄₃N₂OPSi
• 分子量: 867.073
• InChiKey: CGQVKEWZRNPBDL-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  10.9
• 重原子数：
  65
• 可旋转键数：
  9
• 环数：
  12.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  26.9
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  4-bromo-4'-(diphenylphosphine oxide)tetraphenylsilane 、 3,9'-联咔唑 在 potassium phosphate 、 copper(l) iodide 、 trans-1,2-Diaminocyclohexane 作用下， 以 1,4-二氧六环 为溶剂， 反应 24.0h， 以55%的产率得到4-(diphenylphosphine oxide)-4'-[3-(9H-carbazol-9-yl)-9H-carbazol-9-yl]tetraphenylsilane
  参考文献：
  名称：

  基于宽带隙主体/光谱的高效蓝磷光器件：四苯基硅烷上咔唑和氧化膦部分的合理设计

  摘要：

  一系列新的宽带隙材料，4-二苯基氧化膦-4'-9H-咔唑-9-基-四苯基硅烷（CSPO），4-二苯基氧化膦-4'，4''-二（9H-咔唑-9-基）-四苯基硅烷（pDCSPO），4-二苯基氧化膦-4'-[3-（9H-咔唑-9-基）-咔唑-9-基]-四苯基硅烷（DCSPO），4-二苯基氧化膦-4'，4” ，4″-三（9H-咔唑-9-基）-四苯基硅烷（pTCSPO）和4-二苯基氧化膦-4′-[3,6-二（9H-咔唑-9-基）-9H-咔唑-9设计并获得了具有不同比率和p型咔唑单元和n型氧化膦单元的连接方式的[yl]-四苯基硅烷（TCSPO）。对于该系列化合物，DCSPO是FIrpic掺杂设备中的最佳主机。通过将DCzSi和DPOSi用作空穴传输和电子传输层，可以实现27.5％的高EQE和49.4 cd A -1的最大电流效率可以在DCSPO / FIrpic掺杂设备中实现。即使在10000 cd m

  DOI：

  10.1002/adfm.201103126

文献信息

• A Highly Efficient, Blue-Phosphorescent Device Based on a Wide-Bandgap Host/FIrpic: Rational Design of the Carbazole and Phosphine Oxide Moieties on Tetraphenylsilane
  作者：He Liu、Gang Cheng、Dehua Hu、Fangzhong Shen、Ying Lv、Guannan Sun、Bing Yang、Ping Lu、Yuguang Ma

  DOI：10.1002/adfm.201103126

  日期：2012.7.10

  A new series of wide‐bandgap materials, 4‐dipenylphosphine oxide‐4′‐9H‐carbazol‐9‐yl‐tetraphenylsilane (CSPO), 4‐diphenylphosphine oxide‐4′,4″‐di(9H‐carbazol‐9‐yl)‐tetraphenylsilane (pDCSPO), 4‐diphenylphosphine oxide ‐4′‐[3‐(9H‐carbazol‐9‐yl)‐carbazole‐9‐yl]‐tetraphenylsilane (DCSPO), 4‐diphenylphosphine oxide‐4′,4″,4″′‐tri(9H‐carbazol‐9‐yl)‐tetraphenylsilane (pTCSPO) and 4‐diphenylphosphine oxide

  一系列新的宽带隙材料，4-二苯基氧化膦-4'-9H-咔唑-9-基-四苯基硅烷（CSPO），4-二苯基氧化膦-4'，4''-二（9H-咔唑-9-基）-四苯基硅烷（pDCSPO），4-二苯基氧化膦-4'-[3-（9H-咔唑-9-基）-咔唑-9-基]-四苯基硅烷（DCSPO），4-二苯基氧化膦-4'，4” ，4″-三（9H-咔唑-9-基）-四苯基硅烷（pTCSPO）和4-二苯基氧化膦-4′-[3,6-二（9H-咔唑-9-基）-9H-咔唑-9设计并获得了具有不同比率和p型咔唑单元和n型氧化膦单元的连接方式的[yl]-四苯基硅烷（TCSPO）。对于该系列化合物，DCSPO是FIrpic掺杂设备中的最佳主机。通过将DCzSi和DPOSi用作空穴传输和电子传输层，可以实现27.5％的高EQE和49.4 cd A -1的最大电流效率可以在DCSPO / FIrpic掺杂设备中实现。即使在10000 cd m