一系列新的宽带隙材料,4-二苯基氧化膦-4'-9H-咔唑-9-基-四苯基硅烷(CSPO),4-二苯基氧化膦-4',4''-二(9H-咔唑-9-基)-四苯基硅烷(pDCSPO),4-二苯基氧化膦-4'-[3-(9H-咔唑-9-基)-咔唑-9-基]-四苯基硅烷(DCSPO),4-二苯基氧化膦-4',4” ,4″-三(9H-咔唑-9-基)-四苯基硅烷(pTCSPO)和4-二苯基氧化膦-4′-[3,6-二(9H-咔唑-9-基)-9H-咔唑-9设计并获得了具有不同比率和p型咔唑单元和n型氧化膦单元的连接方式的[yl]-四苯基硅烷(TCSPO)。对于该系列化合物,DCSPO是FIrpic掺杂设备中的最佳主机。通过将DCzSi和DPOSi用作空穴传输和电子传输层,可以实现27.5%的高EQE和49.4 cd A -1的最大电流效率可以在DCSPO / FIrpic掺杂设备中实现。即使在10000 cd m