【課題】キャッピング層及び絶縁層のマイクロ電子デバイスからの除去に関する改良された組成物を提供する。【解決手段】シリコン含有層を、かかる層をその上に有するマイクロ電子デバイスから除去する除去組成物及び方法を開示する。除去組成物は、次のものに限定されないが、シリコン酸化物、プラズマエンハンスド・テトラエチルオルソシリケート(P−TEOS)、ボロホスホシリケートガラス(BPSG)、プラズマエンハンスド酸化物(PEOX)、高密度プラズマ酸化物(HDP)、ホスホシリケートガラス(PSG)、スピンオン誘電体(SOD)、熱酸化物、アップドープされたシリケートガラス、犠牲酸化物類、シリコン含有有機ポリマー類、シリコン含有ハイブリッド有機/無機材料類、有機シリケートガラス(OSG)、TEOS、フッ素化シリケートガラス(FSG)、半球状グレイン(HSQ)、炭素ドープされた酸化物(CDO)ガラス、及びこれらの組み合わせを含む総を、下部電極、デバイス基板、及び/又はエッチストップ層の材料に対して、選択的に除去する。【選択図】図1E
本发明提供了用于从微电子设备上去除封盖层和绝缘层的改进组合物。所公开的是用于从具有含
硅层的微电子器件上去除含
硅层的去除组合物和方法。去除组合物包括但不限于:氧化
硅、等离子体增强
正硅酸四乙酯(P-TEOS)、
硼磷硅酸盐
玻璃(BPSG)、等离子体增强氧化物(P
EOX)、高密度等离子体氧化物(HDP)、
磷硅酸盐
玻璃 (PSG)、自旋电介质 (SOD)、热氧化物、上掺杂
硅酸盐
玻璃、牺牲氧化物、含
硅有机聚合物、含
硅有机/无机混合材料、有机
硅酸盐
玻璃 (OSG)、TEOS、
氟化
硅酸盐
玻璃 (FSG)、半球形晶粒 (HSQ)、掺碳氧化物 (CDO)
玻璃,以及它们的各种组合。[选图] 图 1e.