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[Cu(TeC5H3(Me-3)N)]4 | 1332869-73-4

中文名称
——
中文别名
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英文名称
[Cu(TeC5H3(Me-3)N)]4
英文别名
——
[Cu(TeC5H3(Me-3)N)]4化学式
CAS
1332869-73-4
化学式
C24H24Cu4N4Te4
mdl
——
分子量
1133.07
InChiKey
RSSGCBNLEWHLKM-UHFFFAOYSA-J
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
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计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
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  • 可旋转键数:
    None
  • 环数:
    None
  • sp3杂化的碳原子比例:
    None
  • 拓扑面积:
    None
  • 氢给体数:
    None
  • 氢受体数:
    None

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    [Cu(TeC5H3(Me-3)N)]4 以 further solvent(s) 为溶剂, 生成 copper telluride
    参考文献:
    名称:
    铜(i)2-吡啶基硒酸酯和碲酸酯:合成,结构及其作为制备铜硫族化物纳米晶体和薄膜的分子前驱体的用途†
    摘要:
    通过CuCl和NaEC 5 H 3之间的反应分离出[Cu {EC 5 H 3(R-3)N}} 4(E / R = Se / Me或Te / R; R = H或Me)络合物(R-3)N和通过元素分析,紫外可见和NMR(1 H,13 C)光谱进行表征。[Cu {SeC 5 H 3(Me-3)N}] 4和[Cu(TeC 5 H 4 N)] 4的晶体结构揭示了分子是四聚体的,其中每个铜原子位于四面体的顶点,四面体的每个面都被桥联的吡啶硫属元素化物配体封端。通过热重分析研究了这些配合物的热行为。取决于反应条件,热解同时产生化学计量的和非化学计量的铜硫属元素化物,其通过XRD,EDX,SEM,TEM和SAED技术进行表征。这些前体用于制备纳米晶体和通过ACVD(气溶胶辅助化学气相沉积)沉积硫属铜化物的薄膜。
    DOI:
    10.1039/c1dt10461f
  • 作为产物:
    描述:
    copper(l) chloride3,3'-dimethyl-2,2'-dipyridyl ditelluride 在 NaBH4 作用下, 以 甲醇 为溶剂, 以88%的产率得到[Cu(TeC5H3(Me-3)N)]4
    参考文献:
    名称:
    铜(i)2-吡啶基硒酸酯和碲酸酯:合成,结构及其作为制备铜硫族化物纳米晶体和薄膜的分子前驱体的用途†
    摘要:
    通过CuCl和NaEC 5 H 3之间的反应分离出[Cu {EC 5 H 3(R-3)N}} 4(E / R = Se / Me或Te / R; R = H或Me)络合物(R-3)N和通过元素分析,紫外可见和NMR(1 H,13 C)光谱进行表征。[Cu {SeC 5 H 3(Me-3)N}] 4和[Cu(TeC 5 H 4 N)] 4的晶体结构揭示了分子是四聚体的,其中每个铜原子位于四面体的顶点,四面体的每个面都被桥联的吡啶硫属元素化物配体封端。通过热重分析研究了这些配合物的热行为。取决于反应条件,热解同时产生化学计量的和非化学计量的铜硫属元素化物,其通过XRD,EDX,SEM,TEM和SAED技术进行表征。这些前体用于制备纳米晶体和通过ACVD(气溶胶辅助化学气相沉积)沉积硫属铜化物的薄膜。
    DOI:
    10.1039/c1dt10461f
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