密度泛函理论计算用于设计利用
锑(III)二级键相互作用的阴离子受体。对
化学文献中发现的有前途的基序进行了计算,在该基序中,两个
锑位点非常靠近卤化物阴离子。这项研究扩展到与结构相关的1,3,2-苯并二
恶唑烷衍
生物类,以阐明其结合卤离子的潜力。评价了多种几何构型,并考虑了各种比例的卤化物阴离子。根据计算结果,这类阴离子受体对电荷密集的卤化物表现出很强的亲和力。制备这些1,3,2-苯并二
恶唑烷衍
生物以评估其合成可及性。一种物种的结构表征揭示了通过次级键相互作用最多可结合三个电子供体的能力。这开启了这些
锑系统用于阴离子结合和识别的未来实验研究。