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dimethyl 5,5''-(2,5-dimethoxy-1,4-phenylene)bis(3'-dodecyl-[2,2'-bithiophene]-4-carboxylate) | 1395044-64-0

中文名称
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中文别名
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英文名称
dimethyl 5,5''-(2,5-dimethoxy-1,4-phenylene)bis(3'-dodecyl-[2,2'-bithiophene]-4-carboxylate)
英文别名
——
dimethyl 5,5''-(2,5-dimethoxy-1,4-phenylene)bis(3'-dodecyl-[2,2'-bithiophene]-4-carboxylate)化学式
CAS
1395044-64-0
化学式
C52H70O6S4
mdl
——
分子量
919.388
InChiKey
QENHCEMNELWPDQ-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    17.12
  • 重原子数:
    62.0
  • 可旋转键数:
    30.0
  • 环数:
    5.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.54
  • 拓扑面积:
    71.06
  • 氢给体数:
    0.0
  • 氢受体数:
    10.0

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    参考文献:
    名称:
    部分阶梯型分子基供体-受体共轭低聚物:合成和性质
    摘要:
    近年来,有机半导体的合成由于有机会制造低成本和/或大面积电子元件而得到了广泛的发展。其中,梯形π共轭低聚物由于其刚性共面结构和增强的π共轭性而被认为是很有前途的材料,这导致了一系列理想的性能,如强发光、高载流子迁移率和环境稳定性。我们最近开发了利用 BBr3 促进的分子内环化制备完全梯型共轭低聚物的新方法。该方法具有快速和定量反应的特点,可产生具有刚性平面结构的富电子和缺电子共轭体系。π共轭低聚物合成的另一个重要进展是在主链内利用供体受体(DA)型结构。供体-受体系统引起部分分子内电荷转移(ICT),从而能够操纵电子结构,从而产生具有相对较高电荷载流子迁移率的低带隙半导体。在这两个概念的融合中,我们在此展示了 DA 交替共低聚物 1 的合成,其中受体基于由 BBr3 促进的内酯化制备的梯型平面分子,烷基化噻吩用作供体(图 1) . 光物理、电 供体-受体系统引起部分分子内电荷转移(ICT)
    DOI:
    10.5012/bkcs.2012.33.6.2040
  • 作为产物:
    参考文献:
    名称:
    部分阶梯型分子基供体-受体共轭低聚物:合成和性质
    摘要:
    近年来,有机半导体的合成由于有机会制造低成本和/或大面积电子元件而得到了广泛的发展。其中,梯形π共轭低聚物由于其刚性共面结构和增强的π共轭性而被认为是很有前途的材料,这导致了一系列理想的性能,如强发光、高载流子迁移率和环境稳定性。我们最近开发了利用 BBr3 促进的分子内环化制备完全梯型共轭低聚物的新方法。该方法具有快速和定量反应的特点,可产生具有刚性平面结构的富电子和缺电子共轭体系。π共轭低聚物合成的另一个重要进展是在主链内利用供体受体(DA)型结构。供体-受体系统引起部分分子内电荷转移(ICT),从而能够操纵电子结构,从而产生具有相对较高电荷载流子迁移率的低带隙半导体。在这两个概念的融合中,我们在此展示了 DA 交替共低聚物 1 的合成,其中受体基于由 BBr3 促进的内酯化制备的梯型平面分子,烷基化噻吩用作供体(图 1) . 光物理、电 供体-受体系统引起部分分子内电荷转移(ICT)
    DOI:
    10.5012/bkcs.2012.33.6.2040
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