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二叔丁基-氯-苯基锡烷 | 30191-23-2

中文名称
二叔丁基-氯-苯基锡烷
中文别名
——
英文名称
phenyldi(tert-butyl)tin chloride
英文别名
(tert-C4H9)2Sn(C6H5)Cl;Di-tert-butyl(chloro)phenylstannane;ditert-butyl-chloro-phenylstannane
二叔丁基-氯-苯基锡烷化学式
CAS
30191-23-2
化学式
C14H23ClSn
mdl
——
分子量
345.5
InChiKey
VLBMWZZOXYHAIU-UHFFFAOYSA-M
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
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  • 反应信息
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  • 表征谱图
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  • 相关功能分类
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计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    4.68
  • 重原子数:
    16
  • 可旋转键数:
    3
  • 环数:
    1.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.57
  • 拓扑面积:
    0
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    0

安全信息

  • 海关编码:
    2931900090

SDS

SDS:e494c576b4a9b7540d7ba6f9ee7a7da6
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上下游信息

  • 下游产品
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    二叔丁基-氯-苯基锡烷 在 LiAlH4 、 AIBN 作用下, 以 乙醚 为溶剂, 生成
    参考文献:
    名称:
    2-膦酰基和2-膦酰基乙基二有机锡卤化物的合成,分子结构和立体异构化
    摘要:
    R 2 Sn(X)(CH 2)2 P(O)PhR'(R = Me,t-Bu; Rt́ = OEt,t-Bu; X = Cl,Br)类型的功能取代的三有机锡卤化物V–IX具有通过卤素裂解相应的四有机锡化合物R 2 R 2 Sn(CH 2)2 P(O)PhR'(R 2 = Me或Ph),I–IV合成。Me 2 Sn(Br)(CH 2)2的固态结构通过X射线衍射测定的P(O)PhBu-t(IX)在锡原子上显示出扭曲的三角-双锥体结构,且分子内配位有PO基团。光谱数据与化合物V–IX的溶液中的这种结构一致。通过改变化合物V–IX溶液中的温度,浓度或溶剂,可以观察到立体异构化。基于NMR 1 H,13 C,31 P,119 Sn),IR和电导率研究,建议该立体异构化涉及锡原子处的六配位过渡态。
    DOI:
    10.1016/s0022-328x(00)83797-3
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文献信息

  • Reaction of Bis(pyrazol-1-yl)methanes Modified by Organotin Groups on the Methine Carbon with W(CO)<sub>5</sub>THF to Give Novel Heterodinuclear Organometallic Complexes
    作者:Liang-Fu Tang、Shu-Bin Zhao、Wen-Li Jia、Zhi Yang、Da-Tong Song、Ji-Tao Wang
    DOI:10.1021/om030221o
    日期:2003.8.1
    can also result in the oxidative addition of the tin−carbon(sp3) bond to the tungsten(0) center, implying that the oxidative addition reaction of the tin−carbon(sp3) bond may form these decarbonylation intermediates. While the reactions of trialkylstannylbis(pyrazol-1-yl)methanes, R3SnCHPz2 (R = Et or iPr), with W(CO)5THF yield only the decarbonylation heterodinuclear complexes R3SnCHPz2W(CO)4, in which
    通过使双(吡唑-1-基)甲基锂与有机锡卤化物反应,合成了在次甲基碳上具有有机锡基团的一系列新的双(吡唑-1-基)甲烷。已经详细研究了它们与W(CO)5 THF的反应,表明这些新的配体在用W(CO)5 THF处理后显示出多种反应活性,这取决于锡原子上取代基的性质。用W(CO)5 THF处理三芳基锡烷基双(吡唑-1-基)甲烷Ar 3 SnCHPz 2(Ar =苯基或对甲苯基; Pz =取代的吡唑)导致氧化锡碳(sp 3)结合到钨(0)中心以产生新型金属-金属键合配合物CHPz 2(CO)3 W-SnAr 3,其中发现了四元金属环,而双(吡唑-1-基)甲基化物起三齿态的作用单阴离子κ 3 - [N,C,N]螯合配体。当在吡唑环的4-位上存在烷基取代基时,可以分离出一些脱羰基中间体Ar 3 SnCHPz 2 W(CO)4。顺序地加热这些中间体也可以导致氧化加成的锡-碳(SP的3)键合到钨(0)中心,这意味着锡-碳的氧化加成反应(SP
  • Tertiary butyl derivatives of tin
    作者:S. A. Kandil、A. L. Allred
    DOI:10.1039/j19700002987
    日期:——
    Experiments designed for the synthesis of tetra-t-butyltin by the reaction of tri-t-butyltin halide with t-butyl-lithium led to the isolation of hexa-t-butyldistannane. On the other hand, other organolithium and Grignard reagents yielded the expected products. A critical study was undertaken to establish the structural requirements in the organotin derivatives for the normal substitution to occur preferentially
    合成了几种叔丁基锡衍生物,包括氯化三叔丁基锡和碘化物。设计用于通过三叔丁基卤化锡与叔丁基锂反应合成四叔丁基锡的实验导致了六叔丁基二锡烷的分离。另一方面,其他有机锂和格利雅试剂也可产生预期的产物。进行了一项严格的研究,以建立有机锡衍生物的结构要求,以使正常取代优先于偶联反应发生。为此目的,合成了两个系列的R 1 2 R 2 SnX型单体:系列I,其中R 1 = Bu t;R 2 = Ph,p -MeC 6H 4,PhCH 2或Bu n;和系列II,其中R 2 = Bu t;R 1= Ph,PhCH 2或Bu n;X = Cl,Br或I。观察到与系列I耦合,而系列II产生正常产物。发现四取代有机锡化合物在氯仿中的卤化反应与以下反应顺序一致:Ph> PhCH 2 > Bu t > Bu n。
  • Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: Sn: Org.Verb.3, 1.1.4.6, page 92 - 94
    作者:
    DOI:——
    日期:——
  • WEICHMANN, H.;MUEGGE, C.;GRAND, A.;ROBERT, J. B., J. ORGANOMETAL. CHEM., 1982, 238, N 4, 343-356
    作者:WEICHMANN, H.、MUEGGE, C.、GRAND, A.、ROBERT, J. B.
    DOI:——
    日期:——
  • NOVEL ORGANOTIN SILICATE COMPOUNDS, PREPARATION METHODS THEREOF AND PHOTORESIST COMPOSITION CONTAINING THE SAME
    申请人:JSI SILICONE CO.
    公开号:US20240228518A1
    公开(公告)日:2024-07-11
    Provided are a novel organostannyl silicate compound, a method for preparing the same, a photoresist composition including the organostannyl silicate compound according to the present disclosure, and a method for forming a photoresist pattern using the composition. The organostannyl silicate compound of the present disclosure is industrially very useful, since the compound may implement a photoresist composition having excellent light sensitivity and etching resistance and a high-quality semiconductor device may be manufactured using the composition.
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