1-diethylamino-8-(ethylamino)naphthalene | 79687-91-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 萘
• 英文名称: 1-diethylamino-8-(ethylamino)naphthalene
• 英文别名: 1-ethylamino-8-diethylaminonapthalene；1-N,1-N,8-N-triethylnaphthalene-1,8-diamine
• CAS: 79687-91-5
• 化学式: C₁₆H₂₂N₂
• 分子量: 242.364
• InChiKey: FQZHHYOATIUGTM-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  371.0±22.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.051±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.4
• 重原子数：
  18
• 可旋转键数：
  5
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.38
• 拓扑面积：
  15.3
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  1-diethylamino-8-(ethylamino)naphthalene 在 氢氧化钾 作用下， 以 水 为溶剂， 反应 4.0h， 生成 1,8-bis(diethylamino)naphthalene
  参考文献：
  名称：

  Pozharskii, A. F.; Kurasov, L. A.; Kuz'menko, V. V., Journal of Organic Chemistry USSR (English Translation), 1981, p. 884 - 891

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  1,8-bis(diethylamino)naphthalene 在 氢溴酸 、 potassium iodide 作用下， 以 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂， 反应 1.5h， 以87%的产率得到1-diethylamino-8-(ethylamino)naphthalene
  参考文献：
  名称：

  N，N，N'-三烷基-1,8-二氨基萘：质子化质子海绵的便捷制备方法和第一个X射线信息

  摘要：

  描述了合成N，N，N'-三烷基-1,8-二氨基萘的简单程序。它包括用HBr – KI – DMF系统加热时，可商购的质子海绵[1,8-双（二​​甲基氨基）萘]及其一些衍生物的部分脱甲基（脱烷基）反应的局限性，范围和可能的反应机理。讨论。对于异构体8-二甲基氨基-1-甲基氨基-和1-二甲基氨基-8-甲基氨基-4-硝基萘，已经进行了X射线测量。报道了在萘质子海绵中完全实现反应的第一个例子。

  DOI：

  10.1016/j.tet.2005.02.067

文献信息

• Photocrosslinkable compositions, patterned high k thin film dielectrics and related devices
  申请人：E.T.C. S.r.l.

  公开号：EP2960280A1

  公开（公告）日：2015-12-30

  The present teachings relate to a photocrosslinkable composition including a partially fluorinated polymer, a photosensitive dehydrohalogenating agent, and a crosslinker. The photocrosslinkable composition can be used to prepare a patterned thin film having a high dielectric constant, for example, a dielectric constant greater than 10.

  本发明涉及一种光可交联组合物，包括部分氟化聚合物、光敏脱氢卤化剂和交联剂。该光可交联组合物可用于制备具有高介电常数（例如介电常数大于 10）的图案化薄膜。
• Photopatternable compositions, patterned high k thin film dielectrics and related devices
  申请人：Flexterra, Inc.

  公开号：US10409159B2

  公开（公告）日：2019-09-10

  The present teachings relate to a photopatternable composition including a vinylidene fluoride-based polymer, a photosensitive non-nucleophilic base, and a crosslinking agent. The photopatternable composition can be used to prepare a patterned thin film component for use in an electronic, optical, or optoelectronic device such as an organic thin film transistor. The patterned thin film component can be used as a gate dielectric with a high dielectric constant, for example, a dielectric constant greater than 10.

  本发明涉及一种光图案化组合物，包括一种亚乙烯基氟化物基聚合物、一种光敏非亲核碱和一种交联剂。该光可图案化组合物可用于制备图案化薄膜元件，以用于电子、光学或光电设备，如有机薄膜晶体管。图案化薄膜元件可用作具有高介电常数（例如介电常数大于 10）的栅极电介质。
• METHOD OF FORMING A PATTERNED THIN FILM COMPONENT AND ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR
  申请人：Flexterra, Inc.

  公开号：EP3161061B1

  公开（公告）日：2020-11-18
• PHOTOPATTERNABLE COMPOSITIONS, PATTERNED HIGH K THIN FILM DIELECTRICS AND RELATED DEVICES
  申请人：Flexterra, Inc.

  公开号：US20170192354A1

  公开（公告）日：2017-07-06

  The present teachings relate to a photopatternable composition including a vinylidene fluoride-based polymer, a photosensitive non-nucleophilic base, and a crosslinking agent. The photopatternable composition can be used to prepare a patterned thin film component for use in an electronic, optical, or optoelectronic device such as an organic thin film transistor. The patterned thin film component can be used as a gate dielectric with a high dielectric constant, for example, a dielectric constant greater than 10.
• [EN] PHOTOPATTERNABLE COMPOSITIONS, PATTERNED HIGH K THIN FILM DIELECTRICS AND RELATED DEVICES<br/>[FR] COMPOSITIONS PHOTOSTRUCTURABLES, DIÉLECTRIQUES EN COUCHE MINCE DE CONSTANTE K ÉLEVÉE À MOTIFS ET DISPOSITIFS S'Y RAPPORTANT
  申请人：POLYERA CORP

  公开号：WO2015200872A1

  公开（公告）日：2015-12-30

  The present teachings relate to a photopatternable composition including a vinylidene fluoride-based polymer, a photosensitive non-nucleophilic base, and a crosslinking agent. The photopatternable composition can be used to prepare a patterned thin film component for use in an electronic, optical, or optoelectronic device such as an organic thin film transistor. The patterned thin film component can be used as a gate dielectric with a high dielectric constant, for example, a dielectric constant greater than 10.