trimethylundecylammonium bromide | 2650-58-0

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氮化合物
• 英文名称: trimethylundecylammonium bromide
• 英文别名: n-undecyltrimethylammonium bromide；N,N,N-Trimethylundecan-1-aminium bromide；trimethyl(undecyl)azanium;bromide
• CAS: 2650-58-0
• 化学式: Br*C₁₄H₃₂N
• 分子量: 294.319
• InChiKey: GYEBFKKXVRODQL-UHFFFAOYSA-M

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.23
• 重原子数：
  16
• 可旋转键数：
  10
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  nickel(II) chloride hexahydrate 、 4,5-双(苯甲酰硫基)-1,3-二硫杂环戊烯-2-硫酮 、 trimethylundecylammonium bromide 在 sodium methoxide 、 I₂ 、 NaI 作用下， 以 甲醇 为溶剂， 生成 n-undecyltrimethylammonium-[Ni(1,3-dithiole-2-thione-4,5-dithiolato)2]
  参考文献：
  名称：

  Odd–Even Effect and Unusual Behavior of Dodecyl-Substituted Analogue Observed in the Crystal Structure of Alkyltrimethylammonium–[Ni(dmit)₂]⁻Salts

  摘要：

  一系列[Ni(dmit)2]−（dmit：1,3-二硫杂环戊烯-2-硫酮-4,5-二硫醇）的烷基三甲基铵盐（Cn：n代表烷基链长度；n = 3和5–18）已被制备并通过X射线结构分析进行了研究。所有复合盐均被发现由交替的[Ni(dmit)2]−阴离子层和阳离子层组成，阳离子层的烷基链存在显著的互插结构。然而，分子排列在(C3)[Ni(dmit)2]和其他(Cn)[Ni(dmit)2]（n = 5–18）之间有所不同。在C3复合盐中，相邻的阳离子沿[Ni(dmit)2]−阴离子的长轴排列，而在其他（C5–C18复合盐）中，它们朝向短轴排列。这种排列差异源于阳离子和阴离子长轴长度的相关性，即CLCA。此外，对于C10–C18，阳离子烷基链与[Ni(dmit)2]−阴离子之间的相对取向在奇数和偶数编号阳离子之间有所不同。奇数编号阳离子的烷基链平面垂直于[Ni(dmit)2]−阴离子平面，而偶数编号阳离子的烷基链平面则平行。还发现C12类似物表现得像奇数编号阳离子。然而，在C12盐中，十二烷基的末端甲基采取了不寻常的末端-旁式构象。

  DOI：

  10.1246/bcsj.20100306
• 作为产物：
  描述：

  1-溴十一烷 、 三甲胺 以 乙腈 为溶剂， 反应 48.0h， 生成 trimethylundecylammonium bromide
  参考文献：
  名称：

  Odd–Even Effect and Unusual Behavior of Dodecyl-Substituted Analogue Observed in the Crystal Structure of Alkyltrimethylammonium–[Ni(dmit)₂]⁻Salts

  摘要：

  一系列[Ni(dmit)2]−（dmit：1,3-二硫杂环戊烯-2-硫酮-4,5-二硫醇）的烷基三甲基铵盐（Cn：n代表烷基链长度；n = 3和5–18）已被制备并通过X射线结构分析进行了研究。所有复合盐均被发现由交替的[Ni(dmit)2]−阴离子层和阳离子层组成，阳离子层的烷基链存在显著的互插结构。然而，分子排列在(C3)[Ni(dmit)2]和其他(Cn)[Ni(dmit)2]（n = 5–18）之间有所不同。在C3复合盐中，相邻的阳离子沿[Ni(dmit)2]−阴离子的长轴排列，而在其他（C5–C18复合盐）中，它们朝向短轴排列。这种排列差异源于阳离子和阴离子长轴长度的相关性，即CLCA。此外，对于C10–C18，阳离子烷基链与[Ni(dmit)2]−阴离子之间的相对取向在奇数和偶数编号阳离子之间有所不同。奇数编号阳离子的烷基链平面垂直于[Ni(dmit)2]−阴离子平面，而偶数编号阳离子的烷基链平面则平行。还发现C12类似物表现得像奇数编号阳离子。然而，在C12盐中，十二烷基的末端甲基采取了不寻常的末端-旁式构象。

  DOI：

  10.1246/bcsj.20100306

文献信息

• CLEANING LIQUID FOR MATERIAL COMPRISING CARBON-CONTAINING SILICON OXIDE FOR WAFER RECYCLING, AND CLEANING METHOD
  申请人：Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.

  公开号：EP3285285A1

  公开（公告）日：2018-02-21

  It is an object of the present invention to provide a cleaning solution for removing carbon-incorporated silicon oxide (SiOC) from the surface of a wafer in a step of producing a wafer having a material comprising the SiOC, and a cleaning method of using the same. The cleaning solution of the present invention comprises 2% by mass to 30% by mass of a fluorine compound, 0.0001% by mass to 20% by mass of a specific cationic surfactant that is an ammonium salt or an amine, and water, and has a pH value of 0 to 4.

  本发明的目的是提供一种清洗液，用于在生产具有包含氧化硅（SiOC）的材料的晶片的步骤中去除晶片表面的碳结合氧化硅（SiOC），以及使用该清洗液的清洗方法。本发明的清洗液由质量分数为 2% 至 30% 的氟化合物、质量分数为 0.0001% 至 20% 的特定阳离子表面活性剂（铵盐或胺）和水组成，pH 值为 0 至 4。
• HERBICIDAL AND PLANT GROWTH REGULANT COMPOSITIONS AND THEIR USE
  申请人：ALBEMARLE CORPORATION

  公开号：EP0891136A1

  公开（公告）日：1999-01-20
• ANION EXCHANGE MATERIALS AND PROCESSES
  申请人：BIOCOMPATIBLES LIMITED

  公开号：EP0939779A1

  公开（公告）日：1999-09-08
• ANTI-GEL AGENT FOR POLYHYDROXYETHERAMINES, GEL STABILIZED POLYHYDROXYETHERAMINE SOLUTIONS, AND METHODS FOR MAKING AND USING SAME
  申请人：CLEARWATER INTERNATIONAL, LLC

  公开号：US20150197682A1

  公开（公告）日：2015-07-16

  Anti-gel agents for polyhydroxyetheramines/copolyhydroxyetheramines and gel stabilized polyhydroxyetheramine/copolyhydroxyetheramine solutions including a polymer system including polyhydroxyetheramines and/or copolyhydroxyetheramines and an anti-gel system including quaternary ammonium compounds, quaternary phosphonium compounds, or mixtures and combinations.
• CLEANING SOLUTION AND CLEANING METHOD FOR MATERIAL COMPRISING CARBON-INCORPORATED SILICON OXIDE FOR USE IN RECYCLING WAFER
  申请人：MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.

  公开号：US20180087006A1

  公开（公告）日：2018-03-29

  It is an object of the present invention to provide a cleaning solution for removing carbon-incorporated silicon oxide (SiOC) from the surface of a wafer in a step of producing a wafer having a material comprising the SiOC, and a cleaning method of using the same. The cleaning solution of the present invention comprises 2% by mass to 30% by mass of a fluorine compound, 0.0001% by mass to 20% by mass of a specific cationic surfactant that is an ammonium salt or an amine, and water, and has a pH value of 0 to 4.