基于
噻吩的共轭聚合物和低聚物已被广泛用作制造光电器件(如场效应晶体管、发光器件和光伏电池)的活性材料。活性材料的光学和电子特性取决于 HOMO 和 LUMO 的能级。为了控制
水平,已经进行了旨在修饰低聚
噻吩骨架的广泛研究。作为一种电子材料,
3,4-乙烯二氧噻吩 (EDOT) 是功能性 π 共轭系统分子工程的重要通用构件,具有专门为发光器件、非线性光学发色团应用而定制的电子和光学特性,低能隙系统或最近的有机半导体。已经合成了各种低聚 EDOT,对其结构和电子特性的分析表明,明智地使用 EDOT 作为构建块可以微调 π 共轭系统的电子特性。这种对基于 EDOT 的系统的日益关注反过来又引起了对 EDOT 分子本身的
化学和/或对其结构的修改的强烈兴趣。将吸电子基团引入 EDOT 代表了调整共轭系统的 HOMO 和 LUMO 能级的最直接方法。如先前的工作所示,在
噻吩单元的 3 位引入受体基团(如