tris(dimethylamido)gallium dimer

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 金属杂环化合物
• 英文名称: tris(dimethylamido)gallium dimer
• 英文别名: [Ga(NMe2)3]2；Ga2(NMe2)6；bis(μ-dimethylamido)tetrakis(dimethylamido)digallium
• 化学式: C₁₂H₃₆Ga₂N₆
• 分子量: 403.904
• InChiKey: NXCLHJZVXOSQLI-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  tris(dimethylamido)gallium dimer 在 二正辛胺 、 十八碳烯 作用下， 反应 0.02h， 生成 氢化镓
  参考文献：
  名称：

  Monodisperse Colloidal Gallium Nanoparticles: Synthesis, Low Temperature Crystallization, Surface Plasmon Resonance and Li-Ion Storage

  摘要：

  We report a facile colloidal synthesis of gallium (Ga) nanoparticles with the mean size tunable in the range of 12-46 nm and with excellent size distribution as small as 7-8%. When stored under ambient conditions, Ga nanoparticles remain stable for months due to the formation of native and passivating Ga-oxide layer (2-3 nm). The mechanism of Ga nanoparticles formation is elucidated using nuclear magnetic resonance spectroscopy and with molecular dynamics simulations. Size-dependent crystallization and melting of Ga nanoparticles in the temperature range of 98-298 K are studied with X-ray powder diffraction, specific heat measurements, transmission electron microscopy, and X-ray absorption spectroscopy. The results point to delta (δ)-Ga polymorph as a single low-temperature phase, while phase transition is characterized by the large hysteresis and by the large undercooling of crystallization and melting points down to 140-145 and 240-250 K, respectively. We have observed size-tunable plasmon resonance in the ultraviolet and visible spectral regions. We also report stable operation of Ga nanoparticles as anode material for Li-ion batteries with storage capacities of 600 mAh g(-1), 50% higher than those achieved for bulk Ga under identical testing conditions.

  DOI：

  10.1021/ja506712d
• 作为产物：
  描述：

  gallium(III) trichloride 、 lithium dimethylamide 以 正己烷 为溶剂， 反应 17.0h， 以63%的产率得到tris(dimethylamido)gallium dimer
  参考文献：
  名称：

  通过原子层沉积使用Ga（NMe2）3和NH3等离子体的外延GaN

  摘要：

  高质量外延GaN的低温沉积对其在电子应用中的集成至关重要。使用具有AlN缓冲层或氮化蓝宝石作为衬底的SiC，在大约800°C的化学气相沉积法可促进GaN的生长。在这里，我们介绍了使用三（二甲基氨基）镓（III）和NH 3的低温原子层沉积（ALD）工艺等离子体。ALD过程显示出在130–250°C之间的自限制行为，每个周期的增长率为1.4Å。所产生的GaN膜在所有沉积温度下均在Si（100）上结晶，具有接近化学计量的Ga / N比，且碳和氧杂质低。当将GaN沉积在4H-SiC上时，不需要AlN缓冲层即可外延生长膜，这是以前从未报道过的。测得GaN膜的带隙约为3.42 eV，费米能级表明GaN是无意地被n型掺杂的。这项研究表明了ALD在GaN基电子器件中的潜力。

  DOI：

  10.1039/d0tc02085k

文献信息

• Mononuclear salen-gallium complexes for iso-selective ring-opening polymerization (ROP) of rac-lactide
  作者：David Specklin、Christophe Fliedel、Frédéric Hild、Samir Mameri、Lydia Karmazin、Corinne Bailly、Samuel Dagorne

  DOI：10.1039/c7dt02730c

  日期：——

  initiator), with a ROP activity greatly dependent upon steric hindrance and geometrical constraints imposed by the variously substituted salen ligands. Based on the present study, salen ligands with limited steric hindrance and a certain degree of flexibility appear best suited for iso-selective ROP by (salen)Ga chelates. The salen-gallium complex 3a is also effective for the controlled ROP of ε-caprolactone

  制备了一系列单核塞伦支持的镓酰胺基/烷氧基镓衍生物，并对其结构进行了表征，随后将其用作外消旋-丙交酯开环聚合（ROP）中的引发剂。各种取代的Salen配体（1a-1f）与0.5当量的反应。Ga 2（NMe 2）6的分离允许通过胺消除途径分离相应的（salen）Ga-NMe 2螯合物（2b-2d，2f），因为它们在一般溶剂中的溶解性较差。（salen）Ga-OBn衍生物（3a-3e）可以容易地通过胺消除/醇解序列获得，并且3a，3d和3e的分子结构通过X射线晶体衍射分析证实。当前的（salen）Ga-X物种可以以受控方式有效地介导rac -LA的等选择性ROP （使用1/2 2f的P m高达0.77/ BnOH混合物作为ROP引发剂），其ROP活性很大程度上取决于各种取代的Salen配体所施加的位阻和几何约束。根据本研究，具有有限的位阻和一定程度的柔韧性的Salen配体似乎最适合（salen
• The Insertion of Carbodiimides into Al and Ga Amido Linkages. Guanidinates and Mixed Amido Guanidinates of Aluminum and Gallium
  作者：Amanda P. Kenney、Glenn P. A. Yap、Darrin S. Richeson、Seán T. Barry

  DOI：10.1021/ic048433g

  日期：2005.4.1

  The insertion of carbodiimides into existing metal-heteroatom bonds is an important preparative route for the synthesis of useful ligand systems such as amidinates and guanidinates. Our interest lies in multiple insertions at one metal center and the mechanisms of insertion and rearrangement. We have synthesized and characterized [Me(2)NC(N(i)Pr)(2)](n)M(NMe(2))(3)(-)(n) (n = 1, 2, 3; M = Al, Ga).

  将碳二亚胺插入现有的金属-杂原子键中是合成有用的配体系统（例如mid基和胍基）的重要制备途径。我们的兴趣在于在一个金属中心进行多次插入，以及插入和重新排列的机制。我们已经合成并表征了[Me（2）NC（N（i）Pr）（2）]（n）M（NMe（2））（3）（-）（n）（n = 1，2，3; M ＝ Al，Ga）。我们已经研究了合成机理，并发现了对最终产物形成很重要的配体转移步骤。
• A Discrete N,O,N-Supported Gallium Amido Complex for the Intermolecular Hydroamination of Terminal Alkynes
  作者：Frédéric Hild、Samuel Dagorne

  DOI：10.1021/om2012584

  日期：2012.2.13

  unusual trigonal-monopyramidal geometry. Compound 2 effectively catalyzes the hydroamination of terminal alkynes (such as 1-hexyne and phenylacetylene) in the presence of primary amines (aniline and butylamine). Kinetic studies on the latter catalytic reactions suggest that these proceed with a first-order rate dependence on alkyne and on species 2. In preliminary studies aiming at the isolation of intermediates

  发现二氨基醚配体（C 5 H 9）NH-C 6 H 4 } 2 O（1）易于通过胺消除途径与0.5当量的Ga 2（NMe 2）6反应，得到N， O，N-支持嘎酰氨物种η 3 - N，O，N - （（C 5 H ^ 9）NC 6 H ^ 4）2 ö} GaNMe 2（2）在一个合理的产率（51％）。通过X射线晶体学确定，四坐标Ga中心在2采用不寻常的三角-单锥体几何形状。在伯胺（苯胺和丁胺）存在下，化合物2有效催化末端炔烃（例如1-己炔和苯乙炔）的加氢胺化反应。对后一种催化反应的动力学研究表明，这些反应以对炔烃和物种2的一级速率依赖性进行。在初步研究中针对有关本催化中间体的分离，二聚体镓络合物[η 2 - N，N- - （（C 5 H ^ 9）NC 6 H ^ 4）2 ö}镓（μ-NHPh基）] 2（3）是通过化合物2与苯胺之间的氨解反应合成的; 通过X射线晶体学分析证实了其身份。
• Gallium oxide thin films from the AACVD of [Ga(NMe2)3]2 and donor functionalised alcohols
  作者：Siama Basharat、Claire J. Carmalt、Russell Binions、Robert Palgrave、Ivan P. Parkin

  DOI：10.1039/b713804k

  日期：——

  Thin films of Ga2O3 have been produced from [Ga(NMe2)3]2 and ROH (R = CH2CH2NMe2, CH(CH2NMe2)2, CH(CH3)CH2NMe2, CH2CH2OMe and C(CH3)2CH2OMe) by aerosol assisted chemical vapour deposition on glass. Transparent, unreflective films were obtained at a deposition temperature of 550 °C using toluene as solvent. The gallium oxide films were analyzed by Scanning electron microscopy (SEM), Raman spectroscopy, wavelength dispersive analysis of X-rays (WDX) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The gallium oxide films obtained were X-ray amorphous. Gas-sensing experiments indicated that the films showed an n-type response to ethanol at a variety of temperatures.

  通过在玻璃上进行气溶胶辅助化学气相沉积，用[Ga(NMe2)3]2 和 ROH（R = CH2CH2NMe2、CH(CH2NMe2)2、CH(CH3)CH2NMe2、CH2CH2OMe 和 C( )2CH2OMe）制备出了 Ga2O3 薄膜。以甲苯为溶剂，在 550 °C 的沉积温度下获得了透明、不反光的薄膜。通过扫描电子显微镜（SEM）、拉曼光谱、X 射线波长色散分析（WDX）和 X 射线光电子能谱（XPS）对氧化镓薄膜进行了分析。获得的氧化镓薄膜是 X 射线无定形的。气体感应实验表明，这些薄膜在不同温度下对乙醇都表现出 n 型响应。
• Reversible O–H Bond Activation by Tripodal tris(Nitroxide) Aluminum and Gallium Complexes
  作者：Joseph S. Scott、Mika L. Maenaga、Audra J. Woodside、Vivian W. Guo、Alex R. Cheriel、Michael R. Gau、Paul R. Rablen、Christopher R. Graves

  DOI：10.1021/acs.inorgchem.3c02902

  日期：2024.3.4

  preparation and characterization of the Group 13 metal complexes of a tripodal tris(nitroxide)-based ligand, designated (TriNOx3–)M (M = Al (1), Ga (2), In (3)). Complexes 1 and 2 both activate the O–H bond of a range of alcohols spanning a ∼10 pKa unit range via an element-ligand cooperative pathway to afford the zwitterionic complexes (HTriNOx2–)M–OR. Structures of these alcohol adduct products are

  在此，我们报告了三足三（硝基氧）基配体的第13族金属配合物的制备和表征，指定为（TriNOx 3– ）M（M = Al（ 1 ），Ga（ 2 ），In（ 3 ）） 。配合物1和2均通过元素-配体协同途径激活一系列跨越 ~10 p K a单位范围的醇的 O-H 键，以提供两性离子配合物 (HTriNOx 2– )M–OR。讨论了这些醇加合物产物的结构。我们证明，反应的热力学和动力学方面均受到金属特性的影响，对于任何给定的醇， 1具有更高的反应平衡常数，并且相对于2而言以更快的速率进行。这些参数还受到醇的pKa的影响，酸性较高的醇比酸性较低的醇反应更完全且更快。讨论了 O-H 激活的可能机制途径。