超过30种W(CR)L n L′ 4– n X(R = H,Bu t,Ph,p -C 6 H 4 CCH,p -C 6 H形式的
钨-亚烷基化合物的电
化学和电子结构4 CCSiPr i 3; X = F,Cl,Br,I,OTf,Bu n,CN,OSiMe 3,OPh; L / L'= PMe 3,1 /2 dmpe,1/2 depe ,1/2 dppe, 1/2 tmeda,P(OMe)3,CO,CNBu t(py),其中亚烷基R基团以及L和X
配体是系统变化的,已使用循环伏安法和密度泛函理论计算进行了研究,以确定氧化电位的调节程度及其对自然的依赖性
金属-
配体相互作用。发现第一氧化电位跨越约2 V的范围。对称性考虑和电子结构计算表明,该系列大多数化合物的最高占据分子轨道(和氧化还原轨道)是主要的d xy轨道亲本。 。氧化电势对
配体的依赖性是取代基与d xy之间对称关系的强大函数轨道,作为多赤道大号
配体的性质更敏感(π对称,相对于d