4trifluoromethylperbenzoic acid | 460990-56-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: 4trifluoromethylperbenzoic acid
• 英文别名: 4-(Trifluoromethyl)benzenecarboperoxoic acid
• CAS: 460990-56-1
• 化学式: C₈H₅F₃O₃
• 分子量: 206.121
• InChiKey: JOJKQHGGNOEKMJ-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.9
• 重原子数：
  14
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.12
• 拓扑面积：
  46.5
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  4-(三氟甲基)苄醇 在 WOx/SiO₂-5.3 氧气 作用下， 以 乙腈 为溶剂， 反应 1.5h， 生成 对三氟甲基苯甲醛 、 4trifluoromethylperbenzoic acid 、 4-三氟甲基苯甲酸
  参考文献：
  名称：

  负载在二氧化硅和γ-氧化铝上的十碳酸盐催化剂：苄醇的高效光催化氧化

  摘要：

  通过湿法浸渍在γ表面上沉积十钨酸盐类物质W 10 O 4- 32，制备了四种钨负载量相同的负载型催化剂。-氧化铝和二氧化硅在不同的pH值。使用BET测量以及XRD，UV-vis DR和XP光谱学对制备的样品进行表征。与相应的氧化铝负载的催化剂相比，在二氧化硅负载的催化剂中获得了更高的W（VI）羰基物种的分散度。在相同的载体内，当浸渍的pH值低于载体的零电荷点（pzc）时，分散度更高。分解钨酸根阴离子主要存在于二氧化硅表面而没有任何修饰，而它们在γ上的沉积过程中发生了部分解聚。-氧化铝表面。在高于pzc的pH值下制备的样品中，解聚程度较小。这些发现是根据W（VI）物种从溶液到支持物表面的沉积方式进行解释的。上述催化剂的光催化活性，关于1-苯基乙醇的光氧化，依赖于W的分数10个ö 4- 32支持物种，而不是在W（VI）分散体。因此，在基于二氧化硅的催化剂上以及在γ上均获得了极高的转化率。-在较

  DOI：

  10.1016/j.jcat.2007.09.023

文献信息

• US4917815A
  申请人：——

  公开号：US4917815A

  公开（公告）日：1990-04-17
• [EN] ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE FILM USING THE SAME, PATTERN FORMING METHOD, MANUFACTURING METHOD OF ELECTRONIC DEVICE, ELECTRONIC DEVICE AND RESIN<br/>[FR] COMPOSITION SENSIBLE AUX RAYONS ACTINIQUES OU AUX RADIATIONS, FILM SENSIBLE AUX RAYONS ACTINIQUES OU AUX RADIATIONS L'UTILISANT, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIFS, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE, DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ET RÉSINE
  申请人：FUJIFILM CORP

  公开号：WO2013081184A1

  公开（公告）日：2013-06-06

  There is provided an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition comprising (P) a compound having a phenolic hydroxyl group and a group formed by substituting for the hydrogen atom in a phenolic hydroxyl group by a group represented by the specific formula, a resist film formed using the specific actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition, a pattern forming method containing steps of exposing and developing the resist film, a manufacturing method of an electronic device, containing the pattern forming method, and an electronic device manufactured by the specific manufacturing method of an electronic device.