phosphorus | 12185-09-0

• 分子结构分类: 无机化合物 - 均质非金属化合物 - 均质其他非金属化合物
• 英文名称: phosphorus
• 英文别名: phosphanylidynephosphane
• CAS: 12185-09-0
• 化学式: P₂
• 分子量: 61.9475
• InChiKey: FOBPTJZYDGNHLR-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.2
• 重原子数：
  2
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  phosphorus 在 氮 作用下， 生成 五氮化磷
  参考文献：
  名称：

  The Thermodynamic Properties of the PN Molecule

  摘要：

  DOI：

  10.1063/1.1750700
• 作为产物：
  描述：

  phosphorus 生成 phosphorus
  参考文献：
  名称：

  Stock, A.; Gibson, G. E.; Stamm, E., Chemische Berichte, 1912, vol. 45, p. 3527 - 3539

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Systematic study of polarized electron emission from strained GaAs∕GaAsP superlattice photocathodes
  作者：T. Maruyama、D.-A. Luh、A. Brachmann、J. E. Clendenin、E. L. Garwin、S. Harvey、J. Jiang、R. E. Kirby、C. Y. Prescott、R. Prepost、A. M. Moy

  DOI：10.1063/1.1795358

  日期：2004.9.27

  Spin-polarized electron photoemission has been studied for GaAs∕GaAs1−xPx strained superlattice cathodes grown by gas-source molecular beam epitaxy. The superlattice structural parameters are systematically varied to optimize the photoemission characteristics. The heavy-hole and light-hole transitions are reproducibly observed in quantum efficiency spectra, enabling direct measurement of the band energies

  已经研究了通过气体源分子束外延生长的 GaAs∕GaAs1−xPx 应变超晶格阴极的自旋极化电子光电发射。系统地改变超晶格结构参数以优化光电发射特性。在量子效率光谱中可重复观察到重空穴和轻空穴跃迁，从而能够直接测量能带能量和能量分裂。已经观察到高达 86% 的电子自旋极化和超过 1% 的量子效率。
• GaPSb: A new ternary material for Schottky diode fabrication on InP
  作者：S. Loualiche、A. Le Corre、S. Salaun、J. Caulet、B. Lambert、M. Gauneau、D. Lecrosnier、B. Deveaud

  DOI：10.1063/1.105450

  日期：1991.7.22

  low value of the Schottky barrier height on n‐ type InP (0.43 eV) prevents its use in electronic applications. A new InP lattice‐ matched material (GaPSb with 65% Sb) has been grown for the first time by gas source molecular beam epitaxy and studied. The material gap is 0.9 eV and the gold Schottky diode reaches 0.6 eV on this compound. This is the highest barrier ever reported on InP lattice‐matched

  尽管具有出色的传输特性，但 n 型 InP 上的肖特基势垒高度值 (0.43 eV) 使其无法用于电子应用。首次通过气源分子束外延生长并研究了一种新的 InP 晶格匹配材料（GaPSb with 65% Sb）。材料间隙为 0.9 eV，金肖特基二极管在该化合物上达到 0.6 eV。这是迄今为止对不含铝的 InP 晶格匹配材料报道的最高势垒。连续和皮秒发光结果表明，GaPSb/InP 是 II 型异质结构，在 4 K 时 ΔEc=50 meV。
• Synthesis and Reactivity of Nickel-Stabilised μ² :η² ,η² -P₂ , As₂ and PAs Units
  作者：Gabriele Hierlmeier、Alexander Hinz、Robert Wolf、Jose M. Goicoechea

  DOI：10.1002/anie.201710582

  日期：2018.1.8

  The reactivity of two paramagnetic nickel(I) compounds, CpNi(NHC) (where Cp=cyclopentadienyl; NHC=1,3‐bis(2,4,6‐trimethylphenyl)imidazol‐2‐ylidene (IMes) or 1,3‐bis(2,6‐diisopropylphenyl)imidazol‐2‐ylidene (IPr)), towards [Na(dioxane)x][PnCO] (Pn=P, As) is described. These reactions afford symmetric bimetallic compounds (μ2:η2,η2‐Pn2)Ni(NHC)(CO)}2. Several novel intermediates en route to such species

  两种顺磁性镍（I）化合物CPNi（NHC）（其中Cp =环戊二烯基; NHC = 1,3-双（2,4,6-三甲基苯基）咪唑-2-亚烷基（IMES）或1,3-描述了朝向[Na（dioxane ）x ] [PNCO]（PN = P，As）的双（2,6-二异丙基苯基）咪唑-2-亚基（IPr））。这些反应得到对称的双金属化合物（μ 2：η 2，η 2 -PN 2）的Ni（NHC）（CO）} 2。几个新的中间体途中这种物质被鉴定和表征，包括含有所述PCO的化合物-在前所未有的μ阴离子2 η：2，η 2 -结合模式。最终，在治疗的（μ 2：η 2，η 2 -PN 2）的Ni（IMES）（CO）} 2种化合物与一氧化碳中，PN 2单元可被释放，得到P 4在含磷物质的情况下，和元素砷的情况下（μ 2：η 2，η 2 -As 2）的Ni（IMES）（CO）} 2。
• The influence of dislocation density on electron mobility in InP films on Si
  作者：T. E. Crumbaker、M. J. Hafich、G. Y. Robinson、K. M. Jones、M. M. Al‐Jassim、A. Davis、J. P. Lorenzo

  DOI：10.1063/1.106353

  日期：1991.8.26

  average electron mobility and dislocation density have been measured as functions of the film thickness in InP films grown on Si substrates by gas‐source molecular beam epitaxy. In a region extending about 2 μm from the Si interface, the density of dislocations was found to be very high and clustering of dislocations was observed by transmission electron microscopy. The corresponding mobility was very

  平均电子迁移率和位错密度已被测量为通过气体源分子束外延在 Si 衬底上生长的 InP 薄膜中的薄膜厚度的函数。在从 Si 界面延伸约 2 μm 的区域中，发现位错密度非常高，并且通过透射电子显微镜观察到位错聚集。相应的流动性非常小。超过 2 μm，未观察到聚集，位错密度降低，平均迁移率随着膜厚的增加而增加。因此，由大的 InP/Si 晶格失配产生的穿透位错会显着降低 InP 膜的自由载流子迁移率。
• <i>p</i>‐type doping of InP and Ga_0.47In_0.53As using diethylzinc during metalorganic molecular beam epitaxy
  作者：R. A. Hamm、D. Ritter、H. Temkin、M. B. Panish、M. Geva

  DOI：10.1063/1.104876

  日期：1991.5.27

  Diethylzinc (DEZn) was used as a p‐type dopant source during metalorganic molecular beam epitaxy of Ga0.47In0.53As and InP. The incorporation efficiency of the Zn was less than 10−3. However, doping levels from p=1×1017 to 3×1019 cm−3 were obtained at growth temperatures of 485–510 °C. Measurements with secondary‐ion mass spectrometry indicated negligible diffusion of Zn in the Ga0.47In0.53As at these

  在 Ga0.47In0.53As 和 InP 的金属有机分子束外延过程中，二乙基锌 (DEZn) 被用作 p 型掺杂剂源。Zn 的掺入效率小于 10-3。然而，在 485–510 °C 的生长温度下获得了从 p=1×1017 到 3×1019 cm-3 的掺杂水平。二次离子质谱测量表明，在这些掺杂水平和生长温度下，Zn 在 Ga0.47In0.53As 中的扩散可以忽略不计。DEZn 用于掺杂广域分离限制多量子阱 (SCH-MQW) 激光器的 p 型 InP 包覆层。在非优化结构中实现了低至 600 A/cm2 的阈值电流密度。