| 138852-82-1

• 分子结构分类: 无机化合物 - 均质非金属化合物
• CAS: 138852-82-1
• 化学式: Br₂Si
• 分子量: 187.893
• InChiKey: ZELYCXKEXXCIII-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.31
• 重原子数：
  3.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  溴化硅(IV) 生成 硅烷 、 、 bromosilicon(1+) 、 、 Tribromosilanylium
  参考文献：
  名称：

  Photoionisation mass-spectrometric study of fragmentation of SiBr₄and GeBr₄in the range 400–1220 Å

  摘要：

  通过光离子化质谱法研究了 SiBr+4 和 GeBr+4 价电子态的非辐射衰变通道，衰变范围为 1220â400 à (10â31 eV)。获得了母离子和 MBr+3、MBr+2、MBr+、M+ 和 Br+（M = Si、Ge）的离子产率曲线，以及相对光离子化支化比。SiBr+3 和 GeBr+3 的出现阈值分别为 11.31 和 10.97 eV。较小碎片离子的出现阈值与 SiBr+4 和 GeBr+4 激发电子态的能量有关，而与碎片离子的较低热力学能量无关。在讨论这些结果时，我们参考了早先关于 SiBr+4 和 GeBr+4 激发态辐射衰变的研究成果（J. Chem. Soc., Faraday Trans., 1990, 86, 2021）。我们得到了 SiBr3 电离电势的新值 7.6 ± 0.4 eV，并认为之前公认的 SiBr2 电离电势值（12 ± 1 eV）高出约 3.5 eV。

  DOI：

  10.1039/ft9918703717