继续先前关于通过在两个 (E)-hex-3-ene-1,5-diyne ((E)-制备了一系列新的三聚体杂化低聚物(14-18 和 22-24,图 2)(图 1-3) 1,2-二
乙炔乙烯,DEE)部分(图 1)。使用的间隔物是缺电子(
喹喔啉基杂环,
哒嗪)和富电子(2,2'-联
噻吩,9,9-二辛基-9H-
芴)发色团。使用 19-21(方案 4),基于共价炔偶联和超分子组装,合成了一系列过渡
金属配合物作为纳米级支架的潜在前体。UV/VIS 光谱(图 3)显示,大多数间隔物提供了具有扩展 π 电子离域的异质三聚体。与 DEE 二聚体 13 和同源三聚体 12 相比,新的混合生色团显示出显着增强的荧光(图 5)。这种发射强度的增加似乎是这些系统的一般特征:即使间隔分子是非荧光的,相应的异源三聚体也可能显示出强发射(表 2)。新杂化生色团的氧化还原特性通过循环伏安法 (CV) 和旋转盘伏安法 (RDV)