1,4-bis((4-(methylthio)phenyl)ethynyl)benzene

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机硫化合物 - 硫醚类
• 英文名称: 1,4-bis((4-(methylthio)phenyl)ethynyl)benzene
• 英文别名: 1,4-Bis[2-(4-methylsulfanylphenyl)ethynyl]benzene
• 化学式: C₂₄H₁₈S₂
• 分子量: 370.539
• InChiKey: AZNDMYRBUTZWCX-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  7
• 重原子数：
  26
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.08
• 拓扑面积：
  50.6
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  4-溴茴香硫醚 、 1,4-双[(三甲基硅基)乙炔基]苯 在 bis-triphenylphosphine-palladium(II) chloride 、 copper(l) iodide 、 1,8-二氮杂双环[5.4.0]十一碳-7-烯 作用下， 以 四氢呋喃 、 水 为溶剂， 反应 18.0h， 以40%的产率得到1,4-bis((4-(methylthio)phenyl)ethynyl)benzene
  参考文献：
  名称：

  固液界面上吸附自由能的单分子测量。

  摘要：

  吸附在表面和界面过程中起着至关重要的作用。表面覆盖率和吸附自由能是分子吸附的两个基本参数。然而，尽管已经对固-气界面处的吸附进行了深入研究，并且已经在一个多世纪前提出了一些吸附模型，但是在固-液界面上进行分子吸附的实验研究仍然面临挑战。在本文中，我们报告了通过使用单分子断裂连接技术对固液界面处的吸附进行统计和定量的单分子测量。从结形成概率的分析中提取部分表面覆盖率，以便可以通过参考Langmuir等温线来计算吸附自由能。

  DOI：

  10.1002/anie.201907966

文献信息

• Synthesis, Structure and Physical Properties of “Wire-like” Metal Complexes
  作者：Masnun Naher、Sören Bock、Zakary M. Langtry、Kieran M. O’Malley、Alexandre N. Sobolev、Brian W. Skelton、Marcus Korb、Paul J. Low

  DOI：10.1021/acs.organomet.0c00685

  日期：2020.12.28

  The syntheses and crystallographically determined structures of metal complexes trans-[M(C≡CR)2Ln] (MLn = Ru(dppe)2, RuP(OEt)3}4, Pt(PEt3)2) featuring acetylide ligands further functionalized by aryl thioether groups are reported, together with those of analogous organic buta-1,3-diyne (RC≡CC≡CR) and 1,4-diethynylbenzene (RC≡CC6H4C≡CR) compounds for comparative purposes. The terminal thioether functional

  金属配合物反式-[M（C 2CR）2 L n ]（ML n = Ru（dppe）2，Ru P（OEt）3 } 4，Pt（PEt 3）2）的合成和晶体学确定的结构乙炔化物配位体由芳基硫醚基是报道进一步官能化，与这些类似的有机丁-1,3-二炔（RC≡CC≡CR）和1,4-二乙炔苯的合（RC≡CC 6 ħ 4C≡CR）化合物进行比较。末端硫醚官能团具有与金电极的表面结合的亲和力，在分子内的研究分子设计中被认为是“锚”基。已经使用光谱学，电化学和量子化学方法研究了路易斯酸性和π-碱性硫醚部分对对分子连接内的分子的电行为重要的许多物理性质的影响。硫醚官能团用作中等强度的π电子给体取代基，其电子特征与OMe基团相似，导致相对较高的HOMO分子在分子的整个长度上都离域化，非常适合促进分子内的相干隧穿。交界处。此外，
• Toward Multiple Conductance Pathways with Heterocycle-Based Oligo(phenyleneethynylene) Derivatives
  作者：Delia Miguel、Luis Álvarez de Cienfuegos、Ana Martín-Lasanta、Sara P. Morcillo、Linda A. Zotti、Edmund Leary、Marius Bürkle、Yoshihiro Asai、Rocío Jurado、Diego J. Cárdenas、Gabino Rubio-Bollinger、Nicolás Agraït、Juan M. Cuerva、M. Teresa González

  DOI：10.1021/jacs.5b05637

  日期：2015.11.4

  of a molecular wire using the scanning tunneling microscope-based break junction technique. We describe for the first time how OPE derivatives with a central pyrimidine ring can efficiently link to the gold electrode by two pathways presenting two different conductance G values. We have demonstrated that this effect is associated with the presence of two efficient conductive pathways of different length:

  在本文中，我们系统地研究了苯环被低聚（亚苯基乙炔）（OPE）衍生物中的杂环化合物取代如何使用基于扫描隧道显微镜的断裂结技术影响分子线的电导。我们首次描述了具有中心嘧啶环的 OPE 衍生物如何通过呈现两种不同电导 G 值的两条途径有效地连接到金电极。我们已经证明，这种效应与两种不同长度的有效导电通路的存在有关：传统的端到端配置，另一种是将一个电极直接连接到中心环。这代表了少数几个例子之一，其中两个定义的导电状态可以在没有外部刺激的帮助下在单个分子中建立。此外，我们已经观察到基于杂环的 OPE 全长的电导基本上不受杂环存在的影响。所有这些结果和所提出的分子的简单性推动了具有多种电导通路的化合物的发展，这将是分子电子学领域的一个突破。
• ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR DEVICE AND ORGANIC THIN FILM LIGHT-EMITTING TRANSISTOR
  申请人：Nakano Yuki

  公开号：US20100012929A1

  公开（公告）日：2010-01-21

  An organic thin film transistor including a substrate having thereon at least three terminals of a gate electrode, a source electrode and a drain electrode, an insulator layer and an organic semiconductor layer, with a current between a source and a drain being controlled upon application of a voltage to the gate electrode, wherein the organic semiconductor layer includes a compound having a specified structure; and an organic thin film light emitting transistor utilizing an organic thin film transistor, wherein the organic thin film transistor is one in which light emission is obtained utilizing a current flowing between the source and the drain, and the light emission is controlled upon application of a voltage to the gate electrode, and is made high with respect to the response speed (driving speed) and has a large ON/OFF ratio, are provided.
• US8217389B2
  申请人：——

  公开号：US8217389B2

  公开（公告）日：2012-07-10