寡聚芳烃作为有机光电子学中有希望的半导体的替代组已引起了广泛的关注。然而,由于合成和高质量纳米/微结构的增长困难,基于线性不对称低聚芳烃的纳米/微结构的高性能和低成本光电器件仍然很少被研究。在这里,一种新型的线性不对称低聚芳烃6-甲基蒽[2,3- b ]苯并[ d合成]噻吩(Me-ABT),并通过溶液法生长其高质量的微带。Me-ABT溶液的荧光量子产率中等,为0.34,而微带显示出光亮的光。通过溶液相自组装工艺制备的基于单个Me-ABT微带的光电晶体管显示出1.66 cm 2 V -1 s -1的高迁移率,12000 AW -1的大光敏性和光电流/暗光即使在低光功率条件下(30 µW cm -2,电流比也为6000))。所测量的器件的光响应性比无机单晶硅薄膜晶体管的光响应性高得多。这些研究应促进具有高质量微结构的有机半导体的发展,从而有可能在有机光电子学中应用。
3‐b]benzo[d]thiophene (Me‐ABT) is synthesized and its high‐quality microribbons are grown by a solutionprocess. The solution of Me‐ABT exhibits a moderate fluorescence quantum yield of 0.34, while the microribbons show a glaucous light emission. Phototransistorsbased on an individual Me‐ABT microribbonprepared by a solution‐phase self‐assembly process showed a high mobility of 1.66 cm2 V−1 s−1, a large photoresponsivity
寡聚芳烃作为有机光电子学中有希望的半导体的替代组已引起了广泛的关注。然而,由于合成和高质量纳米/微结构的增长困难,基于线性不对称低聚芳烃的纳米/微结构的高性能和低成本光电器件仍然很少被研究。在这里,一种新型的线性不对称低聚芳烃6-甲基蒽[2,3- b ]苯并[ d合成]噻吩(Me-ABT),并通过溶液法生长其高质量的微带。Me-ABT溶液的荧光量子产率中等,为0.34,而微带显示出光亮的光。通过溶液相自组装工艺制备的基于单个Me-ABT微带的光电晶体管显示出1.66 cm 2 V -1 s -1的高迁移率,12000 AW -1的大光敏性和光电流/暗光即使在低光功率条件下(30 µW cm -2,电流比也为6000))。所测量的器件的光响应性比无机单晶硅薄膜晶体管的光响应性高得多。这些研究应促进具有高质量微结构的有机半导体的发展,从而有可能在有机光电子学中应用。