2-bromo-3-iodo-6,7-di-dodecylanthracene | 1167573-58-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 萘
• 英文名称: 2-bromo-3-iodo-6,7-di-dodecylanthracene
• 英文别名: 2-Bromo-3-iodo-6,7-didodecylanthracene；2-bromo-6,7-didodecyl-3-iodoanthracene
• CAS: 1167573-58-1
• 化学式: C₃₈H₅₆BrI
• 分子量: 719.671
• InChiKey: PZXFNHVONRTHRK-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  692.8±50.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.216±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  17.9
• 重原子数：
  40
• 可旋转键数：
  22
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.63
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2-bromo-3-iodo-6,7-di-dodecylanthracene 在 bis-triphenylphosphine-palladium(II) chloride 、 copper(l) iodide 、 potassium carbonate 、 N,N-二异丙基乙胺 作用下， 以 四氢呋喃 、 甲醇 为溶剂， 反应 27.0h， 生成 2-ethynyl-3-bromo-6,7-di-dodecyl anthracene
  参考文献：
  名称：

  JP5716821

  摘要：

  公开号：
• 作为产物：
  描述：

  4-溴邻苯二甲酰亚胺 在 aluminum (III) chloride 、 硫酸 、 碘 、 二异丁基氢化铝 作用下， 以 四氢呋喃 、 四氯乙烯 、 甲苯 为溶剂， 反应 45.0h， 生成 2-bromo-3-iodo-6,7-di-dodecylanthracene
  参考文献：
  名称：

  JP5716821

  摘要：

  公开号：

文献信息

• HETEROACENE DERIVATIVE, TETRAHALOTERPHENYL DERIVATIVE, AND PROCESSES FOR PRODUCING THE SAME
  申请人：Watanabe Makoto

  公开号：US20090261300A1

  公开（公告）日：2009-10-22

  There are provided a heteroacene derivative having an excellent oxidation resistance and capable of forming a semiconductor active phase by a coating process, and an oxidation-resistant organic semiconductor material using the same, as well as an organic thin film. [Means for Resolution] A heteroacene derivative represented by the formula (1) is obtained by tetrametalation of a tetrahaloterphenyl derivative with a metalation agent and subsequent treatment of the resulting compound with reaction agents: wherein the substituents R 1 to R 4 are the same or different and each represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, an aryl group having 4 to 30 carbon atoms, an alkyl group having 3 to 20 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms; T 1 and T 2 are the same or different and each represents sulfur, selenium, tellurium, oxygen, phosphorus, boron, or aluminum; l and m each is an integer of 0 or 1; and rings A and B are the same or different and each has a structure represented by the following formulae (A- 1 ) or (A-2).

  提供了一种具有优异氧化抗性并能够通过涂层工艺形成半导体活性相的杂环芳烃衍生物以及使用该衍生物的抗氧化有机半导体材料，以及有机薄膜。[解决方案] 通过使用金属化试剂四甲基化四卤代苯衍生物并随后用反应试剂处理所得化合物，获得了由式（1）表示的杂环芳烃衍生物：其中取代基R1至R4相同或不同，每个代表氢原子、氟原子、氯原子、具有4至30个碳原子的芳基、具有3至20个碳原子的烷基或具有1至20个碳原子的卤代烷基；T1和T2相同或不同，每个代表硫、硒、碲、氧、磷、硼或铝；l和m各自为0或1的整数；环A和环B相同或不同，每个具有以下式（A-1）或（A-2）所表示的结构。
• Heteroacene derivative, tetrahaloterphenyl derivative, and processes for producing the same
  申请人：Tosoh Corporation

  公开号：US08138355B2

  公开（公告）日：2012-03-20

  There are provided a heteroacene derivative having an excellent oxidation resistance and capable of forming a semiconductor active phase by a coating process, and an oxidation-resistant organic semiconductor material using the same, as well as an organic thin film. A heteroacene derivative represented by the formula (1) is obtained by tetrametalation of a tetrahaloterphenyl derivative with a metalation agent and subsequent treatment of the resulting compound with reaction agents: wherein the substituents R1 to R4 are the same or different and each represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, an aryl group having 4 to 30 carbon atoms, an alkyl group having 3 to 20 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms; T1 and T2 are the same or different and each represents sulfur, selenium, tellurium, oxygen, phosphorus, boron, or aluminum; l and m each is an integer of 0 or 1; and rings A and B are the same or different and each has a structure represented by the following formulae (A-1) or (A-2).

  提供了一种具有出色氧化抗性并能够通过涂覆工艺形成半导体活性相的杂芴衍生物，以及使用该杂芴衍生物的耐氧化有机半导体材料和有机薄膜。通过将四卤代苯基衍生物与金属化试剂四次金属化并随后用反应试剂处理，得到式（1）所表示的杂芴衍生物：其中取代基R1至R4相同或不同，每个代表氢原子、氟原子、氯原子、具有4至30个碳原子的芳基基团、具有3至20个碳原子的烷基基团或具有1至20个碳原子的卤代烷基基团；T1和T2相同或不同，每个代表硫、硒、碲、氧、磷、硼或铝；l和m各自为0或1的整数；环A和B相同或不同，每个具有以下式（A-1）或（A-2）所表示的结构。
• HETEROACENE DERIVATIVE, TETRAHALOTERPHENYL DERIVATIVE, AND THEIR PRODUCTION METHODS
  申请人：Tosoh Corporation

  公开号：EP2067782B2

  公开（公告）日：2018-06-27
• US8138355B2
  申请人：——

  公开号：US8138355B2

  公开（公告）日：2012-03-20