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JE25 | 1334680-43-1

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
JE25
英文别名
——
JE25化学式
CAS
1334680-43-1
化学式
C12H8I2N4
mdl
——
分子量
462.031
InChiKey
ZJSWFDAUVWAEOP-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

物化性质

  • 熔点:
    213 °C
  • 沸点:
    583.7±50.0 °C(Predicted)
  • 密度:
    2.396±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    3.16
  • 重原子数:
    18.0
  • 可旋转键数:
    0.0
  • 环数:
    3.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.0
  • 拓扑面积:
    77.82
  • 氢给体数:
    2.0
  • 氢受体数:
    4.0

上下游信息

  • 上游原料
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    JE254-二甲氨基吡啶 、 bis-triphenylphosphine-palladium(II) chloride 、 copper(l) iodide三乙胺N,N-二异丙基乙胺三氟乙酸 、 bis(dibenzylideneacetone)-palladium(0)2-二环己基磷-2',6'-二异丙氧基-1,1'-联苯 作用下, 以 四氢呋喃二氯甲烷 为溶剂, 反应 55.0h, 生成 BL081
    参考文献:
    名称:
    通过氮取代稳定的己烯
    摘要:
    给我一个N:很容易制备高产率的四氮杂十六烷(见图,N蓝色,Si棕色)。它们的模块化合成允许通过选择合适的喹喔啉衍生物来引入任何取代基。
    DOI:
    10.1002/anie.201103676
  • 作为产物:
    描述:
    2,3-二氨基吩嗪一氯化碘三乙胺 作用下, 以 四氢呋喃二氯甲烷 为溶剂, 反应 3.5h, 以68%的产率得到JE25
    参考文献:
    名称:
    通过氮取代稳定的己烯
    摘要:
    给我一个N:很容易制备高产率的四氮杂十六烷(见图,N蓝色,Si棕色)。它们的模块化合成允许通过选择合适的喹喔啉衍生物来引入任何取代基。
    DOI:
    10.1002/anie.201103676
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文献信息

  • Synthesis, Structure, and Air-stable N-type Field-Effect Transistor Behaviors of Functionalized Octaazanonacene-8,19-dione
    作者:Chengyuan Wang、Jing Zhang、Guankui Long、Naoki Aratani、Hiroko Yamada、Yang Zhao、Qichun Zhang
    DOI:10.1002/anie.201500972
    日期:2015.5.18
    AbstractIncreasing the length of N‐heteroacenes or their analogues is highly desirable because such materials could have great potential applications in organic electronics. In this report, the large π‐conjugated N‐heteroquinone 6,10,17,21‐tetra‐((triisopropylsilyl)ethynyl)‐5,7,9,11,16,18,20,22‐octaazanonacene‐8,19‐dione (OANQ) has been synthesized and characterized. The as‐prepared OANQ shows high stability under ambient conditions and has a particularly low LUMO level, which leads to it being a promising candidate for air‐stable n‐type field‐effect transistors (FETs). In fact, FET devices based on OANQ single crystals have been fabricated and an electron mobility of up to 0.2 cm2 V−1 s−1 under ambient conditions is reported. More importantly, no obvious degradation was observed even after one month. Theoretical calculations based on the single crystal are consistent with the measured mobility.
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