(F3C)F2SiONMe2 由 LiONMe2 和 F3CSiF3 制备。通过气体红外光谱和多核溶液核磁共振光谱和质谱对其进行表征。通过单晶X射线晶体学和气体电子衍射阐明了其结构。(它作为构象异构体混合物存在。)重要的发现是极其锐利的 SiON 角 [固体 74.1(1) 度,气体反 84.4(32) 度和 gauche 87.8(20) 度]和短 Si...N 距离 [固体 1.904 (2) A]。SiON 单元的弯曲电位是在 MP2/6-311++G(3df,2dp) 理论
水平计算的,看起来非常平坦且高度不对称。计算出的原子电荷 (NPA) 与经典 Si-N 配键的预期行为相反,因为在形成 Si...N 键时,电子密度主要从氧转移到氮,而
硅电荷几乎不受影响。尽管具有三元环的分子拓扑结构,但电子密度的拓扑结构既没有显示 Si 和 N 原子之间的键临界点,也没有显示环临界点,但电子密度和拉普拉斯值与其他超配位