摘要 通过电子衍射分析确定了气相中CF 3 SiH 3 的分子结构。结合从高分辨率红外光谱得出的 B 0 值,得到 r (SiC), 1.923(3) A, r (SiH) 1.482(5) A, r (CF) 1.348(1) A, ∠FCF 106.7( 5)°和∠HSiH 110.3(10)°(r°α值)。对CF 3 SiH 3 、CF 3 SiH 2 D、CF 3 SiD 3 的气相红外和液相拉曼光谱进行了测量和赋值,并通过基于52个实验频率的法向坐标分析计算了力常数。2.54 N cm -1 的低 f (SiC) 值证实了 SiC 键的弱点。在 240 K 下以 0.04 cm -1 的分辨率记录的红外光谱揭示了振动带的旋转结构。CF 3 SiH 3 和CF 3 SiD 3 的大多数平行带和少数垂直带的旋转分析已经进行。已经获得了基态和激发态振动参数,并将其用作确定谐波力场的补充