丁基三(2-羟基乙基)铵氢氧化物 | 71436-89-0

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氮化合物
• 中文名称: 丁基三(2-羟基乙基)铵氢氧化物
• 中文别名: 氢氧化丁基三(2-羟基乙基)铵
• 英文名称: butyl-tris-(2-hydroxy-ethyl)-ammonium; hydroxide
• 英文别名: Butyl-tris-(2-hydroxy-aethyl)-ammonium; Hydroxid；Butyltris(2-hydroxyethyl)ammonium hydroxide；butyl-tris(2-hydroxyethyl)azanium;hydroxide
• CAS: 71436-89-0
• 化学式: C₁₀H₂₄NO₃*HO
• 分子量: 223.313
• InChiKey: FHGWDFWXNIEBIE-UHFFFAOYSA-M

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.6
• 重原子数：
  15
• 可旋转键数：
  9
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  61.7
• 氢给体数：
  4
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  1-丁基磷酸 、 丁基三(2-羟基乙基)铵氢氧化物 以 水 、 丙酮 为溶剂， 生成
  参考文献：
  名称：

  Improvement of New Dianionic Ionic Liquids vs Monoanionic in Solubility of Poorly Water-Soluble Drugs

  摘要：

  DOI：

  10.1016/j.xphs.2021.01.014
• 作为产物：
  描述：

  N-丁基二乙醇胺 在 anion exchange column Amberlite IRN-78 作用下， 以 正己烷 、 水 为溶剂， 反应 96.0h， 生成 丁基三(2-羟基乙基)铵氢氧化物
  参考文献：
  名称：

  Improvement of New Dianionic Ionic Liquids vs Monoanionic in Solubility of Poorly Water-Soluble Drugs

  摘要：

  DOI：

  10.1016/j.xphs.2021.01.014

文献信息

• Verfahren zur Herstellung von monobenzoylierten 1,8-Diaminoanthrachinonen
  申请人：BAYER AG

  公开号：EP0099071A2

  公开（公告）日：1984-01-25

  Verfahren zur Herstellung von gegebenenfalls substituiertem 1-Amino-8-aroylaminoanthrachinon durch Umsetzung von gegebenenfalls substituiertem 1,8-Diaminoanthrachinon mit einem Aroylhalogenid in Gegenwart eines organischen Lösungs- oder Verdünnungsmittels, eines säurebindenden Mittels und gegebenenfalls von Wasser, dadurch gekennzeichnet, daß man in Gegenwart von tertiären aliphatischen Aminoalkoholen und/oder quartären Ammoniumverbindungen arbeitet.

  一种通过在有机溶剂或稀释剂、酸结合剂和水的存在下，使任选取代的 1,8-二氨基蒽醌与酰基卤反应制备任选取代的 1-氨基-8-酰基氨基蒽醌的工艺，其特征在于该工艺是在三级脂肪族氨基醇和/或季铵化合物的存在下进行的。
• AQUEOUS DISPERSION FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING AND CHEMICAL MECHANICAL POLISHING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
  申请人：JSR Corporation

  公开号：EP2131389A1

  公开（公告）日：2009-12-09

  A chemical mechanical polishing aqueous dispersion includes (A) colloidal silica having an average particle size calculated from the specific surface area determined by the BET method of 10 to 60 nm, (B) an organic acid having two or more carboxyl groups and one or more hydroxyl groups in one molecule, and (C) a quaternary ammonium compound shown by the following general formula (1), wherein R1 to R4 individually represent hydrocarbon groups, and M- represents an anion, the chemical mechanical polishing aqueous dispersion having a pH of 3 to 5.

  一种化学机械抛光水分散液包括：(A) 胶体二氧化硅，其平均粒径根据 BET 法测定的比表面积计算为 10 至 60 纳米；(B) 有机酸，其一个分子中含有两个或两个以上的羧基和一个或一个以上的羟基；(C) 季铵化合物，其通式如下(1)、 其中 R1 至 R4 分别代表烃基，M- 代表阴离子，化学机械抛光水分散液的 pH 值为 3 至 5。
• Cleaning agent for a semi-conductor substrate
  申请人：WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.

  公开号：US20020016272A1

  公开（公告）日：2002-02-07

  This invention relates to a cleaning agent for a semi-conductor substrate, particularly, one having copper wirings on its surface, comprising a nonionic surfactant and a method for cleaning the same. The said cleaning agent and the method have made it possible to control a speed of etching on silicone oxide so as to remove impurities adsorbed on copper wirings and silicone oxide on a surface of a semi-conductor substrate having copper wirings on its surface, such as copper oxides and particles, without causing corrosion or oxidation of copper wirings nor causing roughness on the surface.

  本发明涉及一种用于半导体衬底，特别是表面有铜线的衬底的清洗剂，包括一种非离子表面活性剂和一种清洗方法。 上述清洗剂和方法可以控制对氧化硅的蚀刻速度，从而去除吸附在表面有铜线的半导体基板表面的铜线和氧化硅上的杂质，如铜氧化物和颗粒，而不会造成铜线的腐蚀或氧化，也不会造成表面粗糙。
• US2173069
  申请人：——

  公开号：——

  公开（公告）日：——
• DE681523
  申请人：——

  公开号：——

  公开（公告）日：——