作者:Tobias A. Schaub、Eva M. Zolnhofer、Dominik P. Halter、Tatyana E. Shubina、Frank Hampel、Karsten Meyer、Milan Kivala
DOI:10.1002/anie.201605963
日期:2016.10.17
Triarylphosphine oxides (Ar3P=O) are being intensely studied as electron‐accepting (n‐type) materials. Despite the widespread application of these compounds as electron conductors, experimental data regarding the structural and electronic properties of their negatively charged states remain scarce owing to their propensity for follow‐up chemistry. Herein, a carefully designed triarylphosphine oxide scaffold
三芳基膦氧化物(Ar 3P = O)正在作为电子接受(n型)材料进行深入研究。尽管这些化合物广泛用作电子导体,但由于它们具有后续化学倾向,因此有关其带负电状态的结构和电子性质的实验数据仍然很少。本文中,公开了一种精心设计的三芳基氧化膦支架,其包括在空间上需要的螺芴基部分以屏蔽中央磷酰基(P = O)部分。该化合物经过化学单电子还原,获得了极为稳定的自由基阴离子,这是首次通过X射线晶体学对其进行分离和表征。通过计算研究证实的实验数据应允许构造具有增强的稳定性的氧化膦材料。