三环己基苯 | 28804-58-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 中文名称: 三环己基苯
• 中文别名: 三(4-氯苯基)硼烷
• 英文名称: tricyclohexylbenzene
• 英文别名: 1,2,3-tricyclohexylbenzene
• CAS: 28804-58-2
• 化学式: C₂₄H₃₆
• 分子量: 324.55
• InChiKey: HSDRNVLRTNPRNS-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  9.5
• 重原子数：
  24
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  4.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.75
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  三环己基苯 、 氯磺酸 、 、 sodium hydroxide 、 乙醇 在 正己烷 作用下， 以 二氯甲烷 为溶剂， 反应 6.0h， 以obtaining 30 g of sodium 1,3,5-tricyclohexylbenzenesulfonate的产率得到Sodium 1,3,5-tricyclohexylbenzenesulfonate
  参考文献：
  名称：

  Actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition and method of forming pattern using the composition

  摘要：

  根据本发明，一种感光射线或辐射敏感的树脂组合物包括一种磺酸生成化合物，该化合物通过酸的作用分解产生一个体积为240Å3或更大的磺酸，以及一种在暴露于感光射线或辐射时产生酸的化合物。

  公开号：

  US09223208B2
• 作为产物：
  描述：

  氯代环己烷 在 三氯化铝 作用下， 以 氘代丙酮 、 苯 为溶剂， 生成 三环己基苯 、 Sodium Tricyclohexylbenzenesulfonate
  参考文献：
  名称：

  Actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition and method of forming pattern using the composition

  摘要：

  根据本发明，一种光敏射线或辐射敏感的树脂组合物包括一种通过酸作用分解以生成体积为240 Å3或更大的磺酸的磺酸生成化合物，以及一种在暴露于光敏射线或辐射时生成酸的化合物。

  公开号：

  US09223208B2

文献信息

• PATTERN FORMING METHOD, CHEMICAL AMPLIFICATION RESIST COMPOSITION AND RESIST FILM
  申请人：Enomoto Yuichiro

  公开号：US20120148957A1

  公开（公告）日：2012-06-14

  A pattern forming method includes: (i) forming a film from a chemical amplification resist composition; (ii) exposing the film, so as to form an exposed film; and (iii) developing the exposed film by using an organic solvent-containing developer, wherein the chemical amplification resist composition contains: (A) a resin substantially insoluble in alkali; (B) a compound capable of generating an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation; (C) a crosslinking agent; and (D) a solvent, a negative chemical amplification resist composition used in the method, and a resist film formed from the negative chemical amplification resist composition.

  一种形成图案的方法包括：（i）从化学放大抗蚀剂组成物形成薄膜；（ii）曝光薄膜，以形成暴露的薄膜；和（iii）使用含有有机溶剂的显影剂开发暴露的薄膜，其中化学放大抗蚀剂组成物包含：（A）在碱性溶液中基本不溶的树脂；（B）在与光致发酸剂或辐射照射时能够产生酸的化合物；（C）交联剂；和（D）溶剂，使用该负化学放大抗蚀剂组成物的方法，以及从该负化学放大抗蚀剂组成物形成的抗蚀剂薄膜。
• ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND METHOD OF FORMING PATTERN WITH THE COMPOSITION
  申请人：TSUCHIMURA Tomotaka

  公开号：US20110171577A1

  公开（公告）日：2011-07-14

  An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition includes any of the compounds of general formula (I) below; wherein: Ar represents an aromatic ring that may have a substituent other than the -(A-B) groups; n is an integer of 1 or greater; A represents any one, or a combination of two or more members selected from a single bond, an alkylene group, —O—, —S—, —C(═O)—, —S(═O)—, —S(═O) 2 — and —OS(═O) 2 —, provided that —C(═O)O— is excluded; B represents a group containing a hydrocarbon group having 4 or more carbon atoms wherein either a tertiary or a quaternary carbon atom is contained, when n is 2 or greater, the two or more -(A-B) groups may be identical to or different from each other; and M + represents an organic onium ion.

  一种感光射线敏感或辐射敏感的树脂组合物包括下列通式（I）中的任何一种化合物；其中：Ar代表可能具有除了-(A-B)基团以外的取代基的芳香环；n是大于等于1的整数；A代表从单键、烷基、—O—、—S—、—C（═O）—、—S（═O）—、—S（═O）2—和—OS（═O）2—中任意选择一个或两个或两个以上成员的组合，但不包括—C（═O）O—；B代表一个含有4个或更多碳原子的烃基团，其中包含一个三级或季级碳原子，当n大于等于2时，两个或两个以上的-(A-B)基团可以相同或不同；M+代表有机阳离子。
• ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM USING THE COMPOSITION AND PATTERN FORMING METHOD
  申请人：Inasaki Takeshi

  公开号：US20120301817A1

  公开（公告）日：2012-11-29

  An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition comprising (P) a resin having a repeating unit represented by the following formula (1), a resist film using the composition, and a pattern forming method.

  一种感光树脂组合物，其包括（P）一种具有以下式（1）所表示的重复单元的树脂，使用该组合物的光阻膜以及一种图案形成方法。
• ACTINIC-RAY- OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND METHOD OF FORMING PATTERN USING THE COMPOSITION
  申请人：Tsubaki Hideaki

  公开号：US20120003585A1

  公开（公告）日：2012-01-05

  According to one embodiment, an actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition comprises (A) any of the compounds of General Formula (I) below and (B) a resin that contains the residue (c) of a compound having an ionization potential value lower than that of phenol and when acted on by an acid, exhibits an increased solubility in an alkali developer, wherein Ar represents an aromatic ring having Cy groups and optionally further other substituents, n is an integer of 2 or greater, Cy represents a group having a substituted or unsubstituted alkyl group or a group having a substituted or unsubstituted cycloaliphatic group, provided that a plurality of Cy groups may be identical with or different from each other, and M + represents an organic onium ion.

  根据一种实施例，一种光致射线或辐射敏感的树脂组合物包括（A）下述通式（I）中的任何化合物和（B）含有化合物残基（c）的树脂，该化合物的电离势值低于苯酚，并在受酸作用时，在碱性显影剂中表现出增加的溶解性，其中Ar代表具有Cy基团和可选择进一步的其他取代基的芳香环，n为2或更大的整数，Cy代表具有取代或未取代的烷基或具有取代或未取代的环状脂肪族基团的基团，只要多个Cy基团可以相同或不同，M+代表有机阳离子。
• CHEMICAL AMPLIFICATION RESIST COMPOSITION, AND MOLD PREPARATION METHOD AND RESIST FILM USING THE SAME
  申请人：Fujimori Toru

  公开号：US20120006788A1

  公开（公告）日：2012-01-12

  A chemical amplification resist composition that is used for preparation of a mold, and a mold preparation method and a resist film each using the composition are provided.

  提供一种用于制备模具的化学放大型光阻组合物，以及使用该组合物的模具制备方法和光阻膜。