N,N'-di-n-octyl-2,3:6,7-anthracenedicarboximide

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 蒽
• 英文名称: N,N'-di-n-octyl-2,3:6,7-anthracenedicarboximide
• 英文别名: 7,17-Dioctyl-7,17-diazapentacyclo[11.7.0.03,11.05,9.015,19]icosa-1(20),2,4,9,11,13,15(19)-heptaene-6,8,16,18-tetrone
• 化学式: C₃₄H₄₀N₂O₄
• 分子量: 540.703
• InChiKey: BAKXIMVMGKQUBK-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  9.2
• 重原子数：
  40
• 可旋转键数：
  14
• 环数：
  5.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.47
• 拓扑面积：
  74.8
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  1-辛基吡咯-2,5-二酮 、 1,2,4,5-四(二溴甲基)苯 在 sodium iodide 作用下， 以 N,N-二甲基乙酰胺 为溶剂， 反应 12.0h， 以21%的产率得到N,N'-di-n-octyl-2,3:6,7-anthracenedicarboximide
  参考文献：
  名称：

  Acene-based organic semiconductor materials and methods of preparing and using the same

  摘要：

  提供了一种可以用来制备n型半导体材料的基于Acene的化合物，以及制备这些化合物的方法。还提供了由这些化合物制备的n型半导体材料的复合材料和电子器件。

  公开号：

  US20080185555A1

文献信息

• Acene-based organic semiconductor materials and methods of preparing and using the same
  申请人：Facchetti Antonio

  公开号：US20080185555A1

  公开（公告）日：2008-08-07

  Acene-based compounds that can be used to prepare n-type semiconductor materials are provided with processes for preparing the same. Composites and electronic devices including n-type semiconductor materials prepared from these compounds also are provided.

  提供了一种可以用来制备n型半导体材料的基于Acene的化合物，以及制备这些化合物的方法。还提供了由这些化合物制备的n型半导体材料的复合材料和电子器件。
• US7892454B2
  申请人：——

  公开号：US7892454B2

  公开（公告）日：2011-02-22
• [EN] ACENE-BASED ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIALS AND METHODS OF PREPARING AND USING THE SAME<br/>[FR] MATÉRIAUX SEMI-CONDUCTEURS ORGANIQUES À BASE D'ACÈNE ET PROCÉDÉS DE PRÉPARATION ET D'UTILISATION DE CEUX-CI
  申请人：POLYERA CORP

  公开号：WO2008063583A1

  公开（公告）日：2008-05-29

  [EN] Acene-based compounds that can be used to prepare n-type semiconductor materials are provided with processes for preparing the same. Composites and electronic devices including n-type semiconductor materials prepared from these compounds also are provided.
  [FR] L'invention concerne des composés à base d'acène pouvant être utilisés dans la préparation de matériaux semi-conducteurs de type n et des procédés de préparation de ces composés. Elle concerne également des composites et des dispositifs électroniques contenant des matériaux à semi-conducteur de type n préparés à partir de ces composés.
• Anthracenedicarboximides as Air-Stable N-Channel Semiconductors for Thin-Film Transistors with Remarkable Current On−Off Ratios
  作者：Zhiming Wang、Choongik Kim、Antonio Facchetti、Tobin J. Marks

  DOI：10.1021/ja073306f

  日期：2007.11.1

  A new n -type semiconductor family for organic field-effect transistors (FETs), based on core-unsubstituted and core-cyanated anthracenedicarboximides, is reported. By tuning electron affinity, these materials exhibit good electron-transport properties and stability in ambient as well as very high I (on)/I (off) ratios. Unoptimized N,N '-di-fD ctyl-9,10-dicyano-2,3:6,7- anthracenedicarboximide (ADI8-CN2)-based FETs exhibit good electron mobilities (f(e) = 0.02 cm(2)/(V s)) and very high I (on)/I (off) > 10(7) in ambient conditions.