1,4-bis(benzo[b]thieno[3,2-d]thiophen-2-yl)benzene

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 苯并噻吩类
• 英文名称: 1,4-bis(benzo[b]thieno[3,2-d]thiophen-2-yl)benzene
• 英文别名: 2-(4-Thieno[2,3-b][1]benzothiol-2-ylphenyl)thieno[2,3-b][1]benzothiole；2-(4-thieno[2,3-b][1]benzothiol-2-ylphenyl)thieno[2,3-b][1]benzothiole
• 化学式: C₂₆H₁₄S₄
• 分子量: 454.661
• InChiKey: BOCDHTKHUYYADS-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  10
• 重原子数：
  30
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  7.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  113
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  2-甲硫基苯硼酸 在 bis-triphenylphosphine-palladium(II) chloride 、 正丁基锂 、 三氟甲磺酸 、 双氧水 、 potassium carbonate 、 溶剂黄146 作用下， 以 四氢呋喃 、 水 、 甲苯 为溶剂， 反应 117.5h， 生成 1,4-bis(benzo[b]thieno[3,2-d]thiophen-2-yl)benzene
  参考文献：
  名称：

  Benzothieno[2,3-b]thiophene semiconductors: synthesis, characterization and applications in organic field-effect transistors

  摘要：

  描述了一种高效合成一系列苯并噻吩并[2,3-b]噻吩（BTT）衍生物的方法，这些衍生物作为具有不同桥接间隔物的重要核心。当前化合物的耐热性质稳定：在高达300°C的温度下，未观察到相变或热分解。相邻分子晶体叠层发生位移，使得分子间π重叠接近1/3。基于BTTB的有机场效应晶体管（OFETs）展现出优异的场效应性能，室温下迁移率为0.46 cm² V⁻¹ s⁻¹，开-关电流比大于10⁷。所有结果表明，这些苯并噻吩并[2,3-b]噻吩衍生物是光电设备的潜在材料。

  DOI：

  10.1039/c4tc01688b

文献信息

• Benzothieno[2,3-b]thiophene semiconductors: synthesis, characterization and applications in organic field-effect transistors
  作者：Ying Liu、Zhiyang Liu、Hao Luo、Xiaodong Xie、Ling Ai、Ziyi Ge、Gui Yu、Yunqi Liu

  DOI：10.1039/c4tc01688b

  日期：——

  An efficient synthetic approach to a series of benzothieno[2,3-b]thiophene (BTT) derivatives used as an important core with different bridge spacers is described. Thermal properties of the present compounds are stable: neither phase transition nor thermal decomposition was observed up to 300 °C. The adjacent molecule crystal stackings are shifted affording a nearly 1/3 intermolecular π-overlap. The OFETs based on BTTB exhibit excellent field-effect performances with a mobility of 0.46 cm2 V−1 s−1 and on–off current ratios larger than 107 at room temperature. All the results demonstrate these benzothieno[2,3-b]thiophene derivatives as promising materials for optoelectronic devices.

  描述了一种高效合成一系列苯并噻吩并[2,3-b]噻吩（BTT）衍生物的方法，这些衍生物作为具有不同桥接间隔物的重要核心。当前化合物的耐热性质稳定：在高达300°C的温度下，未观察到相变或热分解。相邻分子晶体叠层发生位移，使得分子间π重叠接近1/3。基于BTTB的有机场效应晶体管（OFETs）展现出优异的场效应性能，室温下迁移率为0.46 cm² V⁻¹ s⁻¹，开-关电流比大于10⁷。所有结果表明，这些苯并噻吩并[2,3-b]噻吩衍生物是光电设备的潜在材料。