二(4-叔丁基苯基)碘全氟代丁烷磺酸盐 | 194999-85-4

• 物质功能分类: 化学试剂 - 有机试剂
• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机卤素化合物 - 卤代烷
• 中文名称: 二(4-叔丁基苯基)碘全氟代丁烷磺酸盐
• 中文别名: 二(4-叔丁基苯基)碘鎓全氟代丁烷磺酸盐；双(4-叔丁基苯基)碘全氟-1-丁磺酸；双(4-叔丁基苯基)碘鎓全氟-1-丁磺酸；DTBPI-PFBS
• 英文名称: bis(4-tert-butylphenyl)iodonium perfluoro-1-butanesulfonate
• 英文别名: di-t-butylphenyliodonium perfluorobutanesulfonate；bis(4-(tert-butyl)phenyl)iodonium perfluorobutanesulfonate；bis-(4-t-butylphenyl) iodonium nonafluorobutane sulfonate；bis(4-t-butylphenyl)iodonium nonafluoro-n-butanesulfonate；bis(4-tert-butylphenyl)iodanium;1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate
• CAS: 194999-85-4
• 化学式: C₄F₉O₃S*C₂₀H₂₆I
• 分子量: 692.425
• InChiKey: DJBAOXYQCAKLPH-UHFFFAOYSA-M

物化性质

• 熔点：
  175-177 °C (lit.)
• 溶解度：
  在PGMEA中的溶解度为40%
• 稳定性/保质期：

  常温常压下稳定，避免与强氧化剂接触。

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.37
• 重原子数：
  38
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.5
• 拓扑面积：
  65.6
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  12

安全信息

• 危险品标志：
  Xi
• 安全说明：
  S26
• 危险类别码：
  R36/37/38
• WGK Germany：
  3

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  二(4-叔丁基苯基)碘全氟代丁烷磺酸盐 在 ¹⁸F-acetyl fluoride 、 三乙基碳酸氢铵缓冲液 作用下， 以 乙腈 为溶剂， 反应 0.17h， 生成 ¹⁸F-1-tert-butyl-4-fluorobenzene
  参考文献：
  名称：

  气态F-合成子的生产和运输：F-酰基氟。

  摘要：

  氟-18（18F，T 1/2 = 109.7分钟）是一种发射正电子的同位素，已广泛用作正电子发射断层扫描（PET）的放射性标记。尽管实际上将气态11C-CO2和11C-CH4从回旋加速器传输到放射化学过程，但18F-氟化物通常在水溶液中传输，因为它通常是通过质子辐照富含18O的水产生的。在大多数情况下，随后的干燥步骤对于制备用于放射性氟化的反应性18F氟化物是必需的。在这项工作中，设计了一个简单的模块，通过固相18F-酰基酐的放射性氟化，从18 F-氟化物水溶液中生成气态18 F-酰基氟。通过含有Porapak Q / Na2SO4的柱纯化气态18F-酰基氟，得到高收率（> 86％），纯度（> 99％）和比活（> 1200 GBq / mumol）。原型18F-乙酰氟（18F-AcF）易于通过15 m 0.8 mm内径的聚丙烯管运输，对管的吸附率低（0.64 +/- 0.12％）。将18F

  DOI：

  10.1016/j.jfluchem.2015.09.012
• 作为产物：
  描述：

  potassium nonaflate 、 alkaline earth salt of/the/ methylsulfuric acid 以 二氯甲烷 、 水 为溶剂， 反应 18.0h， 生成 二(4-叔丁基苯基)碘全氟代丁烷磺酸盐
  参考文献：
  名称：

  从电子激发态的[Ir（COD）（μ-ME电子转移的驱动力依赖2 PZ）] 2到光-酸发生器

  摘要：

  我们报告的电子转移（ET），电子被激发的反应物[Ir（COD）（μ-Me中速率2 PZ）] 2与鎓盐光产酸剂（PAG的）。PAG的还原电位跨越一个大的电化学窗口，可以确定ET反应的驱动力依赖性。ET的速率常数从电子激发的[Ir（COD）（μ-ME 2 PZ）] 2至鎓PAG在通过将反应驱动力，直到达到在乙腈中扩散极限来确定。

  DOI：

  10.1021/acs.jpca.7b07777

文献信息

• RESIST COMPOSITION, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, POLYPHENOLIC COMPOUND FOR USE IN THE COMPOSITION, AND ALCOHOLIC COMPOUND THAT CAN BE DERIVED THEREFROM
  申请人：Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.

  公开号：US20160145231A1

  公开（公告）日：2016-05-26

  A resist composition containing a compound represented by the general formula (1) or (2), a method for forming a resist pattern using the composition, a polyphenolic compound for use in the composition, and an alcoholic compound that can be derived therefrom are described.

  描述了一种包含由通式（1）或（2）表示的化合物的光刻胶组合物，使用该组合物形成光刻胶图案的方法，用于该组合物的多酚化合物，以及可以由其衍生的醇化合物。
• Resist lower-layer composition containing thermal acid generator, resist lower layer film-formed substrate, and patterning process
  申请人：Ohsawa Youichi

  公开号：US20100119970A1

  公开（公告）日：2010-05-13

  There is disclosed a resist lower-layer composition configured to be used by a multi-layer resist method used in lithography to form a layer lower than a photoresist layer acting as a resist upper layer film, wherein the resist lower-layer composition becomes insoluble or poorly-soluble in an alkaline developer after formation of the lower layer, and wherein the resist lower-layer composition comprises, at least, a thermal acid generator for generating an acid represented by the general formula (1) by heating at a temperature of 100° C. or higher. RCOO—CH 2 CF 2 SO 3 − H + (1) There can be provided a resist lower-layer composition in a multi-layer resist method (particularly, a two-layer resist method and a three-layer resist method), which composition is used to form a layer lower than a photoresist layer acting as a resist upper layer film, which composition becomes insoluble or poorly-soluble in an alkaline developer after formation of the lower layer, and which composition is capable of forming a resist lower layer film, intermediate-layered film, and the like having a higher anti-poisoning effect and exhibiting a lower load to the environment.

  揭示了一种抗性下层组合物，配置为在光刻中使用的多层抗性方法中使用，用于形成低于作为抗性上层膜的光刻胶层的一层，其中抗性下层组合物在形成下层后变得不溶解或难溶解于碱性显影剂中，且抗性下层组合物至少包括用于通过在100°C或更高温度下加热生成由通式（1）表示的酸的热酸发生剂。 可以提供一种抗性下层组合物，用于多层抗性方法（特别是双层抗性方法和三层抗性方法），该组合物用于形成低于作为抗性上层膜的光刻胶层的一层，该组合物在形成下层后变得不溶解或难溶解于碱性显影剂中，并且该组合物能够形成具有更高抗毒性效果并表现出对环境负荷较低的抗性下层膜、中间层膜等。
• IONIC, ORGANIC PHOTOACID GENERATORS FOR DUV, MUV AND OPTICAL LITHOGRAPHY BASED ON PERACEPTOR-SUBSTITUTED AROMATIC ANIONS
  申请人：Glodde Martin

  公开号：US20090176173A1

  公开（公告）日：2009-07-09

  A photoacid generator compound P + A − , comprises an antenna group P + comprising a cation that generates protons upon interaction with light, and A − comprising a weakly coordinating peracceptor-substituted aromatic anion that does not contain fluorine or semi-metallic elements such as boron. In one embodiment, such anions comprise the following compounds 4, 5, 6 and 7, wherein E comprises an electron-withdrawing group and the removal of one proton generates aromaticity. P + comprises an onium cation that decomposes into a proton and other components upon interaction with photons. P + may comprise an organic chalcogen onium cation or a halonium cation, wherein the chalcogen onium cation in another embodiment may comprises an oxonium, sulfonium, selenium, tellurium, or onium cation, and the halonium cation may comprise an iodonium, chlorine or bromine onium cation. A novel compound comprises TPS CN5. A photolithographic formulation comprises the photoacid generator in combination with a photolithographic composition such as a photolithographic polymer. The formulation, when on a substrate, is exposed to optical lithographic radiation or ArF (193 nm) or KrF (248 nm) radiation, and developed. A product comprises an article of manufacture made by the method of the invention.

  一种光酸产生化合物P+A−，包含一个天线基团P+，该天线基团P+包含一个在光作用下能产生质子的阳离子，以及一个A−基团，该A−基团包含一个弱配位的全受体取代的芳香阴离子，该芳香阴离子不含氟或半金属元素如硼。在一个实施例中，此类阴离子包含以下化合物4、5、6和7，其中E包含一个吸电子基团，移除一个质子产生芳香性。P+包含一个铵盐阳离子，该铵盐阳离子在光子作用下分解成质子和其他组分。P+可以包含一个有机硫族铵盐阳离子或一个卤铵盐阳离子，其中在另一个实施例中，硫族铵盐阳离子可以包含一个氧铵盐、硫铵盐、硒铵盐、碲铵盐或铵盐阳离子，而卤铵盐阳离子可以包含一个碘铵盐、氯铵盐或溴铵盐阳离子。一种新型化合物包含TPS CN5。一种光刻配方包含光酸产生剂与光刻组合物如光刻聚合物的组合。当该配方位于基底上时，它暴露于光学光刻辐射或ArF（193 nm）或KrF（248 nm）辐射，并进行显影。一个产品包含通过本发明方法制造的制品。
• NEAR-INFRARED ABSORBING DYE, NEAR-INFRARED ABSORPTIVE FILM-FORMING COMPOSITION, AND NEAR-INFRARED ABSORPTIVE FILM
  申请人：OHASHI Masaki

  公开号：US20120119171A1

  公开（公告）日：2012-05-17

  A near-infrared absorbing dye has an anion of formula (1) wherein A 1 is H or CF 3 , R 0 is OH or —OC(═O)—R′, and R′ is a monovalent hydrocarbon group. The dye has excellent solvent solubility as well as good optical properties and heat resistance, offering the advantages of easy coating and effective working during film formation. The dye free of heavy metal in its structure is advantageously used in the process of fabricating semiconductor devices.

  一种近红外吸收染料具有如下式（1）的阴离子，其中A1为H或CF3，R0为OH或—OC(═O)—R′，而R′为一价碳氢基团。该染料具有优异的溶剂溶解性以及良好的光学性能和耐热性，提供易于涂覆和在薄膜形成过程中有效工作的优点。该染料在其结构中不含重金属，因此在制造半导体器件的过程中具有优势应用。
• OPTICAL COMPONENT FORMING COMPOSITION AND CURED PRODUCT THEREOF
  申请人：Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.

  公开号：US20200262787A1

  公开（公告）日：2020-08-20

  The present invention provides an optical component forming composition comprising a tellurium-containing compound or a tellurium-containing resin.

  本发明提供了一种包括含碲化合物或含碲树脂的光学元件成型组合物。