2-(1,4-dihydroxybenzene)butyl phosphonic acid

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 酚类
• 英文名称: 2-(1,4-dihydroxybenzene)butyl phosphonic acid
• 英文别名: 4-(2,5-Dihydroxyphenyl)butylphosphonic acid；4-(2,5-dihydroxyphenyl)butylphosphonic acid
• 化学式: C₁₀H₁₅O₅P
• 分子量: 246.2
• InChiKey: OHEILPZOFFMVML-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.4
• 重原子数：
  16
• 可旋转键数：
  5
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.4
• 拓扑面积：
  98
• 氢给体数：
  4
• 氢受体数：
  5

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  对苯二甲醚 在 正丁基锂 、 三甲基溴硅烷 、 三溴化硼 作用下， 以 四氢呋喃 、 正己烷 、 二氯甲烷 为溶剂， 反应 27.25h， 生成 2-(1,4-dihydroxybenzene)butyl phosphonic acid
  参考文献：
  名称：

  用于生物传感应用的 In2O3Nanowire Mat 器件的选择性功能化

  摘要：

  提出了一种将生物分子共价连接到氧化铟纳米线 (In2O3 NW) 垫装置的电化学活性表面的策略。在氧化铟锡 (ITO) 涂层玻璃和 In2O3 NW 表面上生成了 4-(1,4-二羟基苯) 丁基膦酸 (HQ-PA) 的自组装单层 (SAM)。在修饰 In2O3 NW 之前，在 ITO 表面上优化了表面衍生化所需的化学步骤。HQ-PA SAM 中包含的氢醌基团在 +330 mV 下被电化学氧化为醌 (Q-PA)。使 Q-PA 单层与硫醇封端的 DNA 反应。DNA与其用荧光染料标记的互补链配对。使用荧光显微镜验证DNA的附着。随后通过在垫表面上沉积金电极，在 SiO2 支撑的 In2O3 NW 垫上制备器件。在 ITO 上优化的反应策略应用于这种基于 In2O3 NW 的设备。单个基板上的 In2O3 NW 阵列以选择性方式电化学活化为 Q-PA。活化的 In2O3 NWs 与 HS-DNA

  DOI：

  10.1021/ja0503478

文献信息

• Selective Functionalization of In₂O₃ Nanowire Mat Devices for Biosensing Applications
  作者：Marco Curreli、Chao Li、Yinghua Sun、Bo Lei、Martin A. Gundersen、Mark E. Thompson、Chongwu Zhou

  DOI：10.1021/ja0503478

  日期：2005.5.1

  surface of indium oxide nanowire (In2O3 NW) mat devices is presented. A self-assembled monolayer (SAM) of 4-(1,4-dihydroxybenzene)butyl phosphonic acid (HQ-PA) was generated on an indium tin oxide (ITO)-coated glass and In2O3 NWs surface. The chemical steps required for surface derivatization were optimized on an ITO surface prior to modifying the In2O3 NWs. The hydroquinone group contained in the HQ-PA

  提出了一种将生物分子共价连接到氧化铟纳米线 (In2O3 NW) 垫装置的电化学活性表面的策略。在氧化铟锡 (ITO) 涂层玻璃和 In2O3 NW 表面上生成了 4-(1,4-二羟基苯) 丁基膦酸 (HQ-PA) 的自组装单层 (SAM)。在修饰 In2O3 NW 之前，在 ITO 表面上优化了表面衍生化所需的化学步骤。HQ-PA SAM 中包含的氢醌基团在 +330 mV 下被电化学氧化为醌 (Q-PA)。使 Q-PA 单层与硫醇封端的 DNA 反应。DNA与其用荧光染料标记的互补链配对。使用荧光显微镜验证DNA的附着。随后通过在垫表面上沉积金电极，在 SiO2 支撑的 In2O3 NW 垫上制备器件。在 ITO 上优化的反应策略应用于这种基于 In2O3 NW 的设备。单个基板上的 In2O3 NW 阵列以选择性方式电化学活化为 Q-PA。活化的 In2O3 NWs 与 HS-DNA