4-fluorophenyldiphenylsulfonium bromide

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: 4-fluorophenyldiphenylsulfonium bromide
• 英文别名: (4-Fluorophenyl)diphenylsulfonium bromide；(4-fluorophenyl)-diphenylsulfanium;bromide
• 化学式: Br*C₁₈H₁₄FS
• 分子量: 361.278
• InChiKey: NNYAATFCAOATQX-UHFFFAOYSA-M

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.93
• 重原子数：
  21
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  1
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  benzyltrimethylammonium 1,1,3,3,3-pentafluoro-2-pivaloyloxypropane-1-sulfonate 、 4-fluorophenyldiphenylsulfonium bromide 以 二氯甲烷 、 水 为溶剂， 生成 4-fluorophenyldiphenylsulfonium 1,1,3,3,3-pentafluoro-2-pivaloyloxypropane-1-sulfonate
  参考文献：
  名称：

  SULFONIUM SALT-CONTAINING POLYMER, RESIST COMPOSITION, PATTERNING PROCESS, AND SULFONIUM SALT MONOMER AND MAKING METHOD

  摘要：

  一种含有4-氟苯基的磺鎵盐被引入到聚合物中，该聚合物包含羟基苯基（甲基）丙烯酸酯单元和含酸性易裂解基团的（甲基）丙烯酸酯单元，形成一种聚合物，可用作抗蚀剂组成中的基础树脂。抗蚀剂组成具有高灵敏度、高分辨率和最小化LER。

  公开号：

  US20140296561A1
• 作为产物：
  描述：

  二苯基亚砜 在 三甲基氯硅烷 作用下， 以 二氯甲烷 为溶剂， 生成 4-fluorophenyldiphenylsulfonium bromide
  参考文献：
  名称：

  Sulfonium salt-containing polymer, resist composition, patterning process, and sulfonium salt monomer and making method

  摘要：

  公开号：

  EP2455811B1

文献信息

• オニウム塩化合物、化学増幅レジスト組成物及びパターン形成方法
  申请人：信越化学工業株式会社

  公开号：JP2021091666A

  公开（公告）日：2021-06-17

  【課題】ＫｒＦエキシマレーザー光、ＡｒＦエキシマレーザー光、電子線、極端紫外線等の高エネルギー線を光源とするフォトリソグラフィーにおいて、高感度であり、かつＣＤＵ、ＬＷＲ等のリソグラフィー性能に優れる化学増幅レジスト組成物、これに使用される酸拡散抑制剤、及び該化学増幅レジスト組成物を用いるパターン形成方法を提供する。【解決手段】下記式（１）で表されるオニウム塩化合物、該オニウム塩化合物からなる酸拡散抑制剤、及び該酸拡散抑制剤を含む化学増幅レジスト組成物。【選択図】なし

  在KrF准分子激光光、ArF准分子激光光、电子束和极紫外线等高能量光源用于光刻工艺中，提供一种高灵敏度、具有优越的CDU、LWR等光刻性能的化学增强型光刻胶组合物，以及用于该化学增强型光刻胶组合物的酸扩散抑制剂和使用的图案形成方法。 解决方案是由下式（1）表示的onium盐化合物、由该onium盐化合物组成的酸扩散抑制剂，以及包含该酸扩散抑制剂的化学增强型光刻胶组合物。
• Facile Method for the Preparation of Triarylsulfonium Bromides Using Grignard Reagents and Chlorotrimethylsilane as an Activator
  作者：Shigeaki Imazeki、Motoshige Sumino、Kazuhito Fukasawa、Masami Ishihara、Takahiko Akiyama

  DOI：10.1055/s-2004-829113

  日期：——

  Triarylsulfonium bromides were synthesized by the reaction of diaryl sulfoxides with aryl Grignard reagents in the presence of TMSCI followed by treatment with HBr aqueous solution. Triarylsulfonium bromides bearing threeidentical substituents on sulfur atom were synthesized by the treatment of dimethyl sulfite or thionyl chloride with 5 equivalents of Grignard reagent in the presence of TMSCI.

  三芳基溴化锍通过二芳基亚砜与芳基格氏试剂在 TMSCI 存在下反应合成，然后用 HBr 水溶液处理。在TMSCI存在下，用5当量格氏试剂处理亚硫酸二甲酯或亚硫酰氯，合成了硫原子上具有三个相同取代基的溴化三芳基锍。
• CARBOXYLATE, CARBOXYLIC ACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION AND METHOD FOR PRODUCING RESIST PATTERN
  申请人：SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED

  公开号：US20210263416A1

  公开（公告）日：2021-08-26

  Disclosed are a carboxylate represented by formula (I), and a carboxylic acid generator and a resist composition, including the same: wherein R 1 represents a fluorine atom or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms; R 2 , R 3 and R 4 each independently represent a halogen atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, and —CH 2 — included in the hydrocarbon group may be replaced by —O— or —CO—; m2 and m3 represent an integer of 0 to 4, and m4 represents an integer of 0 to 5; and X 0 represents a hydrocarbon group having 1 to 72 carbon atoms which may have a substituent, and —CH 2 — included in the hydrocarbon group may be replaced by —O—, —S—, —CO— or —SO 2 —.

  本发明涉及一种由式(I)表示的羧酸盐、羧酸发生剂和抗蚀组合物，其中：其中，R1表示氟原子或具有1至4个碳原子的氟化烷基；R2、R3和R4各自独立地表示卤素原子、具有1至4个碳原子的氟化烷基或具有1至12个碳原子的碳氢基团，且所述碳氢基团中包含的—CH2—可以被—O—或—CO—所替代；m2和m3表示0至4的整数，m4表示0至5的整数；X0表示具有1至72个碳原子的碳氢基团，该碳氢基团可能具有取代基，且所述碳氢基团中包含的—CH2—可以被—O—、—S—、—CO—或—SO2—所替代。
• SALT, ACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION AND METHOD FOR PRODUCING RESIST PATTERN
  申请人：SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED

  公开号：US20210255545A1

  公开（公告）日：2021-08-19

  Disclosed are a salt represented by formula (1), and an acid generator and a resist composition which include the same: wherein R1 represents a fluorine atom or a fluorinated alkyl group; R2, R3 and R4 each represent a halogen atom, a fluorinated alkyl group or a hydrocarbon group; m2 and m3 represent an integer of 0 to 4; m4 represents an integer of 0 to 5; Q1 and Q2 each represent a fluorine atom or a perfluoroalkyl group; L1 represents a saturated hydrocarbon group, —CH2- included in the group may be replaced by —O— or —CO—, and a hydrogen atom included in the group may be substituted with a fluorine atom or a hydroxy group; Y1 represents a methyl group which may have a substituent or an alicyclic hydrocarbon group which may have a substituent.

  本发明涉及一种由式（1）表示的盐，以及包括该盐的酸发生剂和抗蚀组合物： 其中，R1代表氟原子或氟化烷基；R2、R3和R4各代表卤素原子、氟化烷基或烃基；m2和m3代表0到4的整数；m4代表0到5的整数；Q1和Q2各代表氟原子或全氟烷基；L1代表饱和烃基，其中包括在该基团中的-CH2-可被替换为-O-或-CO-，该基团中包括的氢原子可被氟原子或羟基取代；Y1代表可带有取代基的甲基基团或可带有取代基的脂环烃基团。
• Process for producing triarylsulfonium salt
  申请人：Sumino Motoshige

  公开号：US20070083060A1

  公开（公告）日：2007-04-12

  [Subject] To provide a method for effectively producing a triarylsulfonium salt having a structure that only one aromatic ring of three aromatic rings on the cation portion thereof is different from the other two aromatic rings (hereinafter, abbreviated as a triarylsulfonium salt relating to the present invention) in a high yield without forming any byproduct. [Means for Solution Problems] The present invention relates to a method for producing a triarylsulfonium salt represented by the general formula [4]: wherein, two R 1 's represent each hydrogen atom, halogen atom, alkyl group, lower haloalkyl group, alkoxy group, acyl group, hydroxyl group, amino group, nitro group or cyano group; R represents an aryl group which may have a substituent selected from a halogen atom, an alkyl group, a lower haloalkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, a N-alkylcarbamoyl group and a carbamoyl group, and the above substituent is different from one represented by the above R 1 ; and A 1 represents a strong acid residue, comprising reacting a diaryl sulfoxide represented by the general formula [1]: wherein, R 1 represents the same as above, and an aryl Grignard reagent represented by the general formula [2]: RMgX   [2] wherein, X represents a halogen atom; R represents the same as above, in the presence of an activator with high affinity for oxygen of 3 to 7.5 equivalents relative to the above diaryl sulfoxide, and then reacting the resultant reaction mixture with a strong acid represented by the general formula [3]: HA 1 [3] wherein, A 1 represents the same as above, or a salt thereof.

  [主题] 提供一种有效地生产三芳基硫鎓盐的方法，其结构中阳离子部分的三个芳环中仅有一个芳环与另外两个芳环不同（以下简称与本发明有关的三芳基硫鎓盐），高产率地生产三芳基硫鎓盐而不产生任何副产物。 [解决问题的方法] 本发明涉及一种生产由一般式[4]表示的三芳基硫鎓盐的方法： 其中，两个R1分别代表氢原子、卤素原子、烷基、较低的卤代烷基、烷氧基、酰基、羟基、氨基、硝基或氰基；R代表芳基，该芳基可以具有从卤素原子、烷基、较低的卤代烷基、烷氧基、烷硫基、N-烷基氨甲酰基和氨甲酰基中选择的取代基，上述取代基与上述R1所代表的取代基不同；A1代表强酸残基。 该方法包括在高亲氧活化剂存在下，使一由一般式[1]表示的二芳基亚砜： 其中，R1代表与上述相同，以及由一般式[2]表示的芳基格氏试剂反应： RMgX   [2] 其中，X代表卤素原子；R代表与上述相同，然后将所得反应混合物与一由一般式[3]表示的强酸： HA1[3] 其中，A1代表与上述相同或其盐反应。