噻吩-D4 | 2036-39-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 杂芳族化合物
• 中文名称: 噻吩-D4
• 英文名称: d4-thiophene
• 英文别名: Thiophen-d(4)；Thiophene-d4；2,3,4,5-tetradeuteriothiophene
• CAS: 2036-39-7
• 化学式: C₄H₄S
• 分子量: 88.11
• InChiKey: YTPLMLYBLZKORZ-RHQRLBAQSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.8
• 重原子数：
  5
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  28.2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  噻吩-D4 生成 2,2,3,3,4,4,5,5-octadeuteriothiolane
  参考文献：
  名称：

  HEINRICH, KARL-HEINZ;RUMMEL, SIEGBERT;WAHREN, MANFRED

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  噻吩 在 氘代苯 、 C₃₂H₄₁IrNO₅P 作用下， 反应 2.0h， 生成 噻吩-D4
  参考文献：
  名称：

  通过金属-配体与缺电子环戊二烯酮铱配合物杂合氧化加成 sp2 和 sp3 C-H 键

  摘要：

  C-H键的氧化加成反应产生含有金属-碳键的反应中间体，在有机金属化学领域发挥了重要作用。在此，我们制备了一种设计用于氧化 C-H 键加成的环戊二烯酮铱（I）配合物1。该复合物裂解了各种 sp 2和 sp 3 C-H 键，包括从 H/D 交换反应推断的己烷和甲烷中的键。当配合物用硝基甲烷处理时形成羟基环戊二烯基（硝基甲基）铱（III）配合物2，这突出了这种基本金属 - 配体协同 C-H 键氧化加成反应。机理研究表明，C-H 键断裂是由底物或其他铱络合物中的极性官能团介导的。我们发现更缺电子的配体导致更有利的反应，这与经典的以金属为中心的氧化加成形成鲜明对比。这种趋势与所提出的机制非常吻合，其中 C-H 键断裂伴随着从金属中心到环戊二烯酮配体的双电子转移。该复合物进一步应用于四氢呋喃（THF）的催化转移脱氢。

  DOI：

  10.1021/jacs.1c06714

文献信息

• 氘修饰的碳甙衍生物
  申请人：正大天晴药业集团股份有限公司

  公开号：CN105884755B

  公开（公告）日：2019-05-28

  本发明属于药物化学领域，涉及氘修饰的碳甙衍生物，具体涉及一种如式I所示的化合物。本发明还涉及氘修饰的碳甙衍生物的制备方法、含有氘修饰的碳甙衍生物的药物组合物以及氘修饰的碳甙衍生物或其药物组合物在制备治疗糖尿病的药物中的用途。
• SUBSTITUTED 4-AMINO-PIPERIDINES
  申请人：Gant Thomas G.

  公开号：US20100016365A1

  公开（公告）日：2010-01-21

  The present invention relates to new substituted 4-amino-piperidine opioid receptor modulators, pharmaceutical compositions thereof, and methods of use thereof.

  本发明涉及新的取代4-氨基哌啶类阿片受体调节剂，其药物组成物以及使用方法。
• 一种全氘代有机光电中间体材料的制备方法
  申请人：烟台九目化学股份有限公司

  公开号：CN117402030B

  公开（公告）日：2024-02-13

  本发明涉及有机合成技术领域，具体涉及一种全氘代有机光电中间体材料的制备方法，所述的制备方法为：将有机光电中间体材料作为原料溶解于溶剂中，加入重水、氘代硫酸及助剂，在惰性气体保护下，加热进行氢氘置换反应，反应结束后，经后处理得到全氘代有机光电中间体材料；所述助剂为氘代氢卤酸、氘代有机酸、冠醚类化合物和季铵盐类化合物中的任意一种或几种组合。本发明所述制备方法以重水为氘源，以取代或未取代的芳香族化合物或杂环化合物为原料，氘代硫酸为催化剂，在合适的助剂条件下，完成芳香类化合物的全氘代反应，主要应用于有机光电中间体材料的制备，为氘代OLED单体材料提供更广泛的氘代基础原料。
• 一种有机空穴注入材料及应用
  申请人：北京大学深圳研究生院

  公开号：CN117800943A

  公开（公告）日：2024-04-02

  本发明涉及有机发光领域，具体涉及一种有机空穴注入材料及应用。该有机空穴注入材料是一种由强拉电子基团取代的五元环衍生物，五元环包括但不限于噻吩、呋喃或者硒酚基团。材料的合成较为简单，有利于大规模生产；材料的HOMO与LUMO能级结构合适，有利于载流子的注入；材料以取代基与五元环为核心，有利于载流子在器件中传输；材料具有较高的LUMO/HOMO能级，有利于将空穴从阳极ITO传输到空穴传输层中。使用上述空穴注入层材料制备的有机发光二极管，具有较高的发光效率和器件寿命，应用于钙钛矿太阳能电池可以提高光电转化效率，有较高的商业化价值。
• Hydrodesulfurization of thiophene to butadiene and butane by a homogeneous iridium complex
  作者：William D. Jones、Robert M. Chin

  DOI：10.1021/ja00080a022

  日期：1994.1

  Thermolysis of the dimer [(C5Me5)IrH3]2 in neat thiophene in the presence of tert-butylethylene at 60-degrees-C gives the desulfurization cleavage product [(C5Me5)Ir]2(mu-S)(mu-1,2-eta2-3,4-eta2-C4H6). This butadiene complex crystallizes in monoclinic space group Cc (No. 9) with a = 8.828(8) angstrom, b = 14.132(3) angstrom, c = 37.889(10) angstrom, beta = 96.76(5)-degrees, Z = 8, and V = 4694.0(7.3) angstrom3. Use of thiophene-d4 gives a d4 product in which deuterium appears at all positions of the coordinated butadiene. Reaction of the butadiene complex with CO produces free butadiene and the complex [(C5Me5)Ir(CO)]2(mu-S). The dicarbonyl complex crystallizes in monoclinic space group C2/c (No. 15) with a = 11.404(5) angstrom, b = 13.927(4) angstrom, c = 14.047(3) angstrom, beta = 97.34(2)-degrees, Z = 4, and V = 2212.8(2.1) angstrom3. Reaction of the butadiene complex with H-2 produces butane.