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(S)-(+)-2-庚基硫代异氰酸酯 | 737000-94-1

中文名称
(S)-(+)-2-庚基硫代异氰酸酯
中文别名
(S)-(+)-2-庚基硫异氰酸酯
英文名称
(2S)-(+)-2-isothiocyanatoheptane
英文别名
(S)-(+)-2-Heptyl isothiocyanate;(2S)-2-isothiocyanatoheptane
(S)-(+)-2-庚基硫代异氰酸酯化学式
CAS
737000-94-1
化学式
C8H15NS
mdl
——
分子量
157.28
InChiKey
UPTLUDLHIIYPNC-QMMMGPOBSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

物化性质

  • 密度:
    0,913 g/cm3

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    4.3
  • 重原子数:
    10
  • 可旋转键数:
    5
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.88
  • 拓扑面积:
    44.4
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    2

安全信息

  • 危险等级:
    6.1
  • 危险品运输编号:
    UN 2922
  • 海关编码:
    2930909090

SDS

SDS:25abe0355760ac94c20c149571d57486
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反应信息

  • 作为产物:
    描述:
    硫光气(S)-(+)-2-氨基庚烷碳酸氢钠 作用下, 以 氯仿 为溶剂, 反应 2.0h, 以82%的产率得到(S)-(+)-2-庚基硫代异氰酸酯
    参考文献:
    名称:
    手性异硫氰酸酯 - 使用圆二色性测量确定绝对构型的方法
    摘要:
    摘要 手性烷基 2-异硫氰酸酯已从对映纯的脂肪胺中获得。ECD 测量使我们能够将 C-2 处的绝对构型与在光谱的较长波长范围内观察到的 n-π * 跃迁的棉花效应 (CE) 符号相关联。所有对映异构体的手性光学数据与测量的 CE 值一致,并表明 240 nm 处的弱吸收带可以提供有关简单手性异硫氰酸酯立体化学的重要信息。由 α-氨基酸制备的 2-异硫氰酸根合羧酸的旋光酯显示出两个位于 195 nm 以上的吸收带。200 nm 附近更强的带和位于 250 nm 的弱吸收与 NCS 组中的 n-π * 跃迁有关。
    DOI:
    10.1016/j.molstruc.2012.12.048
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文献信息

  • Chiral isothiocyanates – An approach to determination of the absolute configuration using circular dichroism measurement
    作者:Oskar Michalski、Dariusz Cież
    DOI:10.1016/j.molstruc.2012.12.048
    日期:2013.4
    Abstract Chiral alkyl 2-isothiocyanates have been obtained from enantiopure, aliphatic amines. ECD measurements allowed us to correlate an absolute configuration at C-2 with a sign of the Cotton effect (CE) observed for n–π * transition at the longer-wavelength range of the spectrum. Chirooptical data calculated for all enantiomers were consistent with the measured CE values and indicated that the
    摘要 手性烷基 2-异硫氰酸酯已从对映纯的脂肪胺中获得。ECD 测量使我们能够将 C-2 处的绝对构型与在光谱的较长波长范围内观察到的 n-π * 跃迁的棉花效应 (CE) 符号相关联。所有对映异构体的手性光学数据与测量的 CE 值一致,并表明 240 nm 处的弱吸收带可以提供有关简单手性异硫氰酸酯立体化学的重要信息。由 α-氨基酸制备的 2-异硫氰酸根合羧酸的旋光酯显示出两个位于 195 nm 以上的吸收带。200 nm 附近更强的带和位于 250 nm 的弱吸收与 NCS 组中的 n-π * 跃迁有关。
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