Die Erfindung betrifft ein Beschichtungsbad für das kataphoretische Beschichten leitfähiger Substrate, das als Zusatz ein quartäres Ammoniumsalz der folgenden allgemeinen Formel enthält:
in welcher
R' = H oder CH3,
R2 = H oder CnH2n + 1
R3 = H oder
R4 = CH3 oder Cn H2n + 1 sind,
X⊖ das Anion einer anorganischen oder organischen Säure darstellt und
n eine ganze Zahl von 10 bis 18 bedeutet.
Die Erfindung betrifft die Verwendung der genannten Ammoniumsalze als Zusatz zu Beschichtungsbäder für das kataphoretische Beschichten sowie ein Verfahren zum Beschichten. Durch die Erfindung werden höhere Schichtdicken des abgeschiedenen Films erreicht.
本发明涉及一种用于对导电基材进行催化涂层的涂层浴,该涂层浴含有以下通式的季
铵盐作为添加剂:其中 R' = H 或
CH3,R2 = H 或 CnH2n + 1,R3 = H 或 R4 = 或 Cn H2n + 1,X⊖ 是
无机酸或有机酸的阴离子,n 是 10 至 18 的整数。 本发明涉及将上述
铵盐作为添加剂用于催化涂层的涂层浴和涂层工艺。 本发明可实现更高的沉积膜层厚度。