一系列低带隙π共轭分子,其中N,N′-二己基
吲哚[3,2- b ]
吲哚为电子供体(D),双
氰基
乙烯基为电子受体(A),A–π–D– π–A体系结构已被设计和合成,以制造单组分双极性有机场效应晶体管(OFET)。合成了具有不同π桥联单元(无,
噻吩和联
噻吩)的分子,并对其进行了表征,以研究其结构与性质的相关性。通过分子内电荷转移(ICT)相互作用和共轭作用扩展的协同作用,在溶液状态下,新合成的分子的带隙减小到1.41 eV。除其他化合物外,2H2TIDID-DCV(具有
噻吩π-间隔物)表现出高度平衡的双极性电荷传输,其与来自真空沉积的OFET装置的空穴和电子迁移率分别为0.08cm 2 V -1 s -1和0.09cm 2 V -1 s -1。使用旋涂OFET器件OD2TIDID-DCV,其中的己基侧链2H2TIDID-DCV是由2-辛基
十二烷基基团取代,也表现出双极性电荷输送性质(9.67×10迁移率-2厘米2