在高性能有机半导体 (OSC) 的发展过程中,载流子迁移率是下一代基于 OSC 的电子设备的最重要要求。该策略是由高度扩展的 π 电子核心组成的 OSC 表现出二维 (2D) 聚合结构,以提供有效的电荷传输。然而,此类 OSC 通常在常见有机溶剂中的溶解性较差,导致溶液加工性有限。这是开发同时具有高载流子迁移率和合适溶解度的 OSC 之间的关键权衡。为了解决这个问题,本文通过一种有效的方法开发和合成了具有癸基取代基的五元环稠合
硒桥联 V 形联
萘 (C10-DNS-VW)。C10-DNS-VW 在溶液过程中表现出非常高的溶解度。尤其,C10-DNS-VW 根据晶体生长条件形成一维 π 堆积填充图案(1D 图案)和二维人字形(HB)填充图案(2D 图案)。另一方面,通过溶液工艺和真空沉积技术制造薄膜仅形成 2D HB 图案。外部压力测试,如加热和暴露于溶剂蒸汽表明,一维和二维基序可以通过分子间