dimethylgallium azide | 132240-18-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机盐 - 有机叠氮化物
• 英文名称: dimethylgallium azide
• 英文别名: azido(dimethyl)gallane
• CAS: 132240-18-7
• 化学式: C₂H₆GaN₃
• 分子量: 141.813
• InChiKey: NAJHZDAWUQKNLV-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.55
• 重原子数：
  6
• 可旋转键数：
  1
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  14.4
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  dimethylgallium azide 以 not given 为溶剂， 生成 gallium nitride
  参考文献：
  名称：

  二甲基叠氮化镓聚合物的X射线晶体结构及其作为氮化镓前体的用途

  摘要：

  X射线衍射研究表明，叠氮化二甲基镓（1）以固态形式作为聚合物存在。基本重复单元Me 2 GaN 3沿着正交晶胞的a轴形成螺旋。化合物1用作氮化镓前体。

  DOI：

  10.1016/0022-328x(90)87270-n
• 作为产物：
  描述：

  sodium azide 、 甲基锂 、 氯化镓 以 甲苯 为溶剂， 以>95的产率得到dimethylgallium azide
  参考文献：
  名称：

  二甲基叠氮化镓聚合物的X射线晶体结构及其作为氮化镓前体的用途

  摘要：

  X射线衍射研究表明，叠氮化二甲基镓（1）以固态形式作为聚合物存在。基本重复单元Me 2 GaN 3沿着正交晶胞的a轴形成螺旋。化合物1用作氮化镓前体。

  DOI：

  10.1016/0022-328x(90)87270-n

文献信息

• Influence of Oxygen on the Crystalline−Amorphous Transition in Gallium Nitride Films
  作者：Nguyen H. Tran、Robert N. Lamb、Lee Jene Lai、Yaw Wen Yang

  DOI：10.1021/jp052177r

  日期：2005.10.1

  Oxygen is a common impurity in nitride-based materials that affects the properties of technologically important materials such as gallium nitride semiconductors. In this work, the influence of oxygen on the structural evolution of GaN films is investigated using near-edge X-ray absorption fine structure (NEXAFS). The combined spectra of Ga L-3-edge, N K-edge, and O K-edge indicate that the gallium coordination, formed by a mixture of oxide and nitride bonds, is directly dependent on the concentration of oxygen in the films. Below 24 atom % oxygen, gallium atoms are tetrahedrally coordinated within the films, while at higher concentrations the octahedral environment persists.