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4-Hydroxy-4-methyl-1-pentyl tosylate | 138616-14-5

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
4-Hydroxy-4-methyl-1-pentyl tosylate
英文别名
(4-Hydroxy-4-methylpentyl) 4-methylbenzenesulfonate;(4-hydroxy-4-methylpentyl) 4-methylbenzenesulfonate
4-Hydroxy-4-methyl-1-pentyl tosylate化学式
CAS
138616-14-5
化学式
C13H20O4S
mdl
——
分子量
272.365
InChiKey
ZESUFAPIUNPJLT-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

物化性质

  • 沸点:
    411.4±28.0 °C(Predicted)
  • 密度:
    1.164±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    2.1
  • 重原子数:
    18
  • 可旋转键数:
    6
  • 环数:
    1.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.54
  • 拓扑面积:
    72
  • 氢给体数:
    1
  • 氢受体数:
    4

反应信息

  • 作为反应物:
    参考文献:
    名称:
    4-Hydroxy-4-methyl-1-pentylp-Toluenesulfonate 环化作为模型来评估固有介质对 SN2 溶剂分解的影响
    摘要:
    通过 Taft LSER 方程成功分析了溶剂对 4-羟基-4-甲基-1-戊基对甲苯磺酸酯环化的影响,其机理等同于 SN2 溶剂分解,log k = 3.2π* + 1.4α + 1.9β - 8.36,表明三个独立因素起作用,即促进电离的溶剂极性和H键供体能力,以及增强内部OH基团的亲核性的H键受体能力。
    DOI:
    10.1246/cl.1991.2065
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文献信息

  • ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, AND RESIST FILM, RESIST-COATED MASK BLANKS, RESIST PATTERN FORMING METHOD AND PHOTOMASK EACH USING THE COMPOSITION
    申请人:FUJIFILM CORPORATION
    公开号:US20150010855A1
    公开(公告)日:2015-01-08
    There is provided an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition containing (α) a compound represented by the formula (αI) capable of generating an acid having a size of 200 Å 3 or more in volume and (β) a compound capable of generating an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation, and the formula (αI) is defined as herein, and a resist film formed using the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition, a resist-coated mask blanks coated with the resist film, a resist pattern forming method comprising exposing the resist film and developing the exposed film, a photomask obtained by exposing and developing the resist-coated mask blanks, a method for manufacturing an electronic device, comprising the resist pattern forming method and an electronic device manufactured by the manufacturing method of an electronic device.
    提供一种感光或辐射敏感的组合物,其中包含(α)一种化合物,其由公式(αI)表示,能够产生大小为200Å3或更大的体积的酸,以及(β)一种化合物,能够在受到光辐射或辐射时产生酸,公式(αI)的定义如本文所述。还提供了使用该感光或辐射敏感组合物形成的光阻膜,涂有光阻膜的光阻涂层掩模坯料,包括曝光光阻膜和显影曝光后膜的光阻图案形成方法,通过曝光和显影涂有光阻涂层的掩模坯料获得的光掩模,以及一种电子器件的制造方法,包括光阻图案形成方法和制造电子器件的电子器件制造方法,以及通过该电子器件制造方法制造的电子器件。
  • US9285679B2
    申请人:——
    公开号:US9285679B2
    公开(公告)日:2016-03-15
  • Cyclization of 4-Hydroxy-4-methyl-1-pentyl<i>p</i>-Toluenesulfonate as a Model to Evaluate Inherent Medium Effect on S<sub>N</sub>2 Solvolysis
    作者:Nobujiro Shimizu、Toru Tsutsumi、Yuho Tsuno
    DOI:10.1246/cl.1991.2065
    日期:1991.11
    Solvent effect on the cyclization of 4-hydroxy-4-methyl-1-pentyl p-toluenesulfonate, a mechanistic equivalent to the SN2 solvolysis, was successfully analyzed by the Taft LSER equation as log k = 3.2π* + 1.4α + 1.9β − 8.36, indicating that three independent factors are operative, i.e., solvent polarity and H-bond donor ability which promote ionization, and H-bond acceptor ability which enhances nucleophilicity
    通过 Taft LSER 方程成功分析了溶剂对 4-羟基-4-甲基-1-戊基对甲苯磺酸酯环化的影响,其机理等同于 SN2 溶剂分解,log k = 3.2π* + 1.4α + 1.9β - 8.36,表明三个独立因素起作用,即促进电离的溶剂极性和H键供体能力,以及增强内部OH基团的亲核性的H键受体能力。
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