4,4'-hexafluoroisopropylidenebis[4-(N,N-diphenylamino)phenyl phthalimide] | 1334537-72-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氮化合物
• 英文名称: 4,4'-hexafluoroisopropylidenebis[4-(N,N-diphenylamino)phenyl phthalimide]
• 英文别名: 5-[2-[1,3-dioxo-2-[4-(N-phenylanilino)phenyl]isoindol-5-yl]-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]-2-[4-(N-phenylanilino)phenyl]isoindole-1,3-dione
• CAS: 1334537-72-2
• 化学式: C₅₅H₃₄F₆N₄O₄
• 分子量: 928.89
• InChiKey: VSMDNWXSNKNJMR-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  13.4
• 重原子数：
  69
• 可旋转键数：
  10
• 环数：
  10.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.05
• 拓扑面积：
  81.2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  12

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  4-硝基苯基二苯胺 在 palladium on activated charcoal 、 一水合肼 作用下， 以 四氢呋喃 、 乙醇 为溶剂， 反应 17.0h， 生成 4,4'-hexafluoroisopropylidenebis[4-(N,N-diphenylamino)phenyl phthalimide]
  参考文献：
  名称：

  高性能非易失性存储设备的新型供体-受体寡酰亚胺

  摘要：

  我们报告了三个新的供体-受体低聚酰亚胺的合成，光电性能和电开关存储特性，这些低聚酰亚胺由给电子部分（三苯胺或咔唑）和吸电子邻苯二甲酰亚胺部分组成。探索了包括DAD和ADA结构在内的不同供体（D）-受体（A）布置对电性能的影响。基于DAD寡酰亚胺的器件具有可逆的非易失性负差分电阻（NDR）特性，并且在操作过程中具有出色的稳定性。在不施加电压应力的情况下，器件的导通和截止状态在10 s和10 8的工作时间内均未显示出明显的劣化。读取脉冲。但是，由ADA寡酰亚胺制得的器件仅显示出绝缘性能。不同的存储特性可能是因为DAD结构中的末端供体部分可能有助于空穴的注入和传输。此外，具有三苯胺基团的DAD低聚酰亚胺的开/关比为10 4，比咔唑基团高2个数量级。通过分子模拟阐明了与电开关特性有关的机理。因此，揭示了DAD结构对于调整存储设备应用程序的存储特性的重要性。

  DOI：

  10.1021/cm201665g

文献信息

• New Donor–Acceptor Oligoimides for High-Performance Nonvolatile Memory Devices
  作者：Wen-Ya Lee、Tadanori Kurosawa、Shiang-Tai Lin、Tomoya Higashihara、Mitsuru Ueda、Wen-Chang Chen

  DOI：10.1021/cm201665g

  日期：2011.10.25

  properties, and electrical switching memory characteristics of three new donor–acceptor oligoimides consisting of the electron-donating moieties (triphenylamine or carbazole) and electron-withdrawing phthalimide moieties. The influence of different donor (D)–acceptor (A) arrangements, including D-A-D and A-D-A structures, on the electrical properties was explored. Devices based on D-A-D oligoimides revealed

  我们报告了三个新的供体-受体低聚酰亚胺的合成，光电性能和电开关存储特性，这些低聚酰亚胺由给电子部分（三苯胺或咔唑）和吸电子邻苯二甲酰亚胺部分组成。探索了包括DAD和ADA结构在内的不同供体（D）-受体（A）布置对电性能的影响。基于DAD寡酰亚胺的器件具有可逆的非易失性负差分电阻（NDR）特性，并且在操作过程中具有出色的稳定性。在不施加电压应力的情况下，器件的导通和截止状态在10 s和10 8的工作时间内均未显示出明显的劣化。读取脉冲。但是，由ADA寡酰亚胺制得的器件仅显示出绝缘性能。不同的存储特性可能是因为DAD结构中的末端供体部分可能有助于空穴的注入和传输。此外，具有三苯胺基团的DAD低聚酰亚胺的开/关比为10 4，比咔唑基团高2个数量级。通过分子模拟阐明了与电开关特性有关的机理。因此，揭示了DAD结构对于调整存储设备应用程序的存储特性的重要性。