Low Temperature CVD of Pb(Zr,Ti)O[sub 3] Using Pb(tmhd)[sub 2], Zr(dmae)[sub 4], and Ti(dmae)[sub 4]
作者:Dae-Hwan Kim、Woo-Young Yang、Shi-Woo Rhee
DOI:10.1149/1.1584441
日期:——
Pb(Zr,Ti)O 3 (PZT) thin films were deposited at low temperatures by direct liquid injection metallorganic chemical vapor deposition (MOCVD) process using Pb 2,2,6,6,-tetramethyl 3,5-heptanedionate (tmhd) 2 , Zr dimethyl aminoethoxide (dmae) 4 , and Ti(dmae) 4 . Zr(dmae) 4 , and Ti(dmae) 4 were found to be less sensitive to moisture and air but their dissociation temperature was about the same as alkoxides
使用 Pb 2,2,6,6,-四甲基 3,5-庚二酸 (tmhd) 通过直接液体注入金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 工艺在低温下沉积 Pb(Zr,Ti)O 3 (PZT) 薄膜2、Zr二甲基氨基乙醇盐(dmae) 4 和Ti(dmae) 4 。发现Zr(dmae) 4 和Ti(dmae) 4 对水分和空气不太敏感,但它们的离解温度与醇盐大致相同。使用Pb(tmhd) 2 和Zr(dmae) 4 和Ti(dmae) 4 的两种单独溶液,并且PZT膜的生长速率在380-440°C的衬底温度下约为11 nm/min。因为Pb(tmhd) 2 、Ti(dmae) 4 和Zr(dmae) 4 的分解温度在相同范围内,所以膜组成的控制比较容易。在 450°C 以下沉积的 PZT 薄膜的碳和氮含量可以忽略不计。纯钙钛矿 PZT 薄膜分别在 Pt/Ti/SiO 2 /Si 衬底上的 440°C 和 Ir/Ti/SiO