9-anthrylmethyl N,N-di-n-octylcarbamate | 61574-49-0

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 蒽
• 英文名称: 9-anthrylmethyl N,N-di-n-octylcarbamate
• 英文别名: (Anthracen-9-yl)methyl dioctylcarbamate；anthracen-9-ylmethyl N,N-dioctylcarbamate
• CAS: 61574-49-0
• 化学式: C₃₂H₄₅NO₂
• 分子量: 475.715
• InChiKey: CLAHAQBRFZJKPZ-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  605.7±25.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.022±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  11
• 重原子数：
  35
• 可旋转键数：
  17
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.53
• 拓扑面积：
  29.5
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  9-蒽醇 在 碘甲烷 作用下， 以 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂， 反应 4.0h， 生成 9-anthrylmethyl N,N-di-n-octylcarbamate
  参考文献：
  名称：

  PHOTOBASE GENERATOR

  摘要：

  本发明旨在提供当受长波长光（活性能量射线）照射时易于产生碱的新化合物，包含这些化合物的光碱发生器以及光碱生成方法，本发明涉及由通式[1]表示的化合物，包含这些化合物的光碱发生器以及光碱生成方法：（其中，Ar代表从蒽基团、蒽醌基团和芘基团中选择的具有特定结构的任何基团；R1和R2各自独立地代表氢原子或具有1至10个碳原子的直链、支链或环烷基基团，或表示能够与它们结合的氮原子形成含氮原子的脂环烷基环或含氮原子的芳香环，这些环具有3至8个碳原子，可能有取代基；R3和R4各自独立地代表氢原子，具有1至10个碳原子的直链、支链或非环烷基基团）。

  公开号：

  US20110233048A1

文献信息

• COMPOSITION FOR WATER-REPELLENT TREATMENT OF SURFACE, AND METHOD FOR WATER-REPELLENT TREATMENT OF SURFACE OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE USING SAME
  申请人：Mizuta Hironori

  公开号：US20130171835A1

  公开（公告）日：2013-07-04

  The purpose of the present invention to provide: a composition which can be used for water-repellent treating of the entire surface of a semiconductor substrate having a pattern formed by laminating a Si-containing insulating layer and a metal layer, at one time; and a method for water-repellent treatment of the semiconductor substrate surface using the composition. The present invention relates to: (1) a composition for water-repellent treatment of a semiconductor substrate surface comprising a) at least one kind of a compound selected from the group consisting of a long-chain alkyl tertiary amine and a long-chain alkyl ammonium salt, b) a base or an acid generating agent, having a condensed ring structure or forming a condensed ring structure by generating a base or an acid and c) a polar organic solvent, and (2) a method for water-repellent treatment of the semiconductor substrate surface having the pattern formed by laminating the Si-containing insulating layer and the metal layer, using the composition.
• US8957212B2
  申请人：——

  公开号：US8957212B2

  公开（公告）日：2015-02-17