1-[2-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]ethyl]-1H-benzimidazole | 639477-67-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 苯并咪唑类
• 英文名称: 1-[2-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]ethyl]-1H-benzimidazole
• 英文别名: 1-[2-[2-(2-Methoxyethoxy)ethoxy]ethyl]benzimidazole
• CAS: 639477-67-1
• 化学式: C₁₄H₂₀N₂O₃
• 分子量: 264.324
• InChiKey: RYSVHOAPGPOIAW-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  157 °C(Press: 0.098 Torr)
• 密度：
  1.12±0.1 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.9
• 重原子数：
  19
• 可旋转键数：
  9
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.5
• 拓扑面积：
  45.5
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  1-[2-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]ethyl]-1H-benzimidazole 、 2,3,4,5,6,-pentamethylbenzyl bromide 以 甲苯 为溶剂， 反应 6.0h， 以89%的产率得到1-[2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)ethyl]-3-(2,3,4,5,6-pentamethylbenzyl)benzimidazolium bromide
  参考文献：
  名称：

  寡醚取代的苯并咪唑鎓溴化物的合成及其在水中Pd催化的Heck偶联中的配体前体用途

  摘要：

  寡醚取代的（CH 3（OCH 2 CH 2）n –；n  = 1、2或3）苯并咪唑鎓溴化物（3 – 7）和寡醚连接的（–CH 2（CH 2 OCH 2）n CH 2 –，ñ  = 1，2或3）bisbenzimidazolium二溴化物（8 - 13）的N-取代的苯并咪唑的quarternization（制备1和2）与体积庞大的苄基溴（ARCH 2 BR：氩= C 6 H ^ 2（CH 3）3 -2,4,6和C 6（CH 3）5）。通过在室温下在二氯甲烷中使用Ag配合物作为卡宾转移剂，合成了衍生自4和6的反式双（卡宾）钯（II）配合物14和15。此外，4和6与Pd（OAc）2和NaBr的反应产生了Pd（II）二聚体16和17，它们很容易被三苯基膦裂解，得到苯环化的单卡宾（NHC）单膦Pd（II）络合物[PdBr 2（NHC）（PPh3）]（18和19）。通过使用元素分析，1 H，13 C和31

  DOI：

  10.1016/j.jorganchem.2009.07.010

文献信息

• POLYMERIZABLE ANION-CONTAINING SULFONIUM SALT AND POLYMER, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：OHASHI Masaki

  公开号：US20100099042A1

  公开（公告）日：2010-04-22

  A polymerizable anion-containing sulfonium salt having formula (1) is provided wherein R 1 is H, F, methyl or trifluoromethyl, R 2 , R 3 and R 4 are C 1 -C 10 alkyl, alkenyl or oxoalkyl or C 6 -C 18 aryl, aralkyl or aryloxoalkyl, or two of R 2 , R 3 and R 4 may bond together to form a ring with S, A is a C 2 -C 20 hydrocarbon group having cyclic structure, and n is 0 or 1. The sulfonium salt generates a very strong sulfonic acid upon exposure to high-energy radiation. A resist composition comprising a polymer derived from the sulfonium salt is also provided.

  提供具有式（1）的可聚合含阴离子的亚砜盐，其中R1为H、F、甲基或三氟甲基，R2、R3和R4为C1-C10烷基、烯基或氧代烷基或C6-C18芳基、芳基烷基或芳基氧代烷基，或R2、R3和R4中的两个可以结合在一起形成与S的环，A为具有环状结构的C2-C20烃基团，n为0或1。该亚砜盐在暴露于高能辐射时生成非常强的磺酸。还提供了一种包含从该亚砜盐衍生的聚合物的抗蚀组合物。
• SULFONIUM SALT, ACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, PHOTOMASK BLANK, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：OHASHI Masaki

  公开号：US20100143830A1

  公开（公告）日：2010-06-10

  A sulfonium salt has formula (1) wherein R 1 is a monovalent hydrocarbon group except vinyl and isopropenyl, R 2 , R 3 , and R 4 are alkyl, alkenyl, oxoalkyl, aryl, aralkyl or aryloxoalkyl or may bond together to form a ring with the sulfur atom, and n is 1 to 3. A chemically amplified resist composition comprising the sulfonium salt is capable of forming a fine feature pattern of good profile after development due to high resolution, improved focal latitude, and minimized line width variation and profile degradation upon prolonged PED.

  一种硫铵盐的化学式为（1），其中R1是一种一价碳氢基团，但不包括乙烯基和异丙烯基，R2、R3和R4是烷基、烯基、氧代烷基、芳基、芳基烷基或芳基氧代烷基，或者它们可以相互连接形成与硫原子的环，并且n为1至3。包含该硫铵盐的化学增感抗剂组合物能够由于高分辨率、改善的焦距宽度、以及在长时间PED后最小化线宽变化和剖面降解而形成良好剖面的精细特征图案。
• CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR ArF IMMERSION LITHOGRAPHY AND PATTERN FORMING PROCESS
  申请人：Ohsawa Youichi

  公开号：US20130034813A1

  公开（公告）日：2013-02-07

  A chemically amplified positive resist composition comprising (A) a sulfonium salt of 3,3,3-trifluoro-2-hydroxy-2-trifluoromethylpropionic acid, (B) an acid generator, (C) a base resin, and (D) an organic solvent is suited for ArF immersion lithography. The carboxylic acid sulfonium salt is highly hydrophobic and little leached out in immersion water. By virtue of controlled acid diffusion, a pattern profile with high resolution can be constructed.

  一种化学增感正型光刻胶组合物，包括（A）三氟甲基-3,3,3-三氟-2-羟基-2-丙酸磺酸盐，（B）酸发生剂，（C）碱性树脂和（D）有机溶剂，适用于ArF浸没光刻。羧酸磺酸盐具有高度疏水性，在浸没水中几乎不溶出。通过控制酸扩散，可以构建具有高分辨率的图案轮廓。
• Nitrogen-containing organic compound, resist composition and patterning process
  申请人：Watanabe Takeru

  公开号：US20080102405A1

  公开（公告）日：2008-05-01

  A resist composition comprising as a quencher a nitrogen-containing organic compound bearing a nitrogen-containing heterocycle and having a molecular weight of at least 380 exhibits a high resolution and satisfactory mask coverage dependence and is useful in microfabrication using electron beam or deep-UV.

  一种抗蚀组合物包括作为猝灭剂的氮含有机化合物，其含有氮杂环，并且分子量至少为380，具有高分辨率和令人满意的掩膜覆盖度依赖性，并且适用于使用电子束或深紫外光进行微细加工。
• PHOTOACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：Ohashi Masaki

  公开号：US20110003247A1

  公开（公告）日：2011-01-06

  The photoacid generator produces a sulfonic acid which has a bulky cyclic structure in the sulfonate moiety and a straight-chain hydrocarbon group and thus shows a controlled acid diffusion behavior and an adequate mobility. The PAG is fully compatible with a resin to form a resist composition which performs well during the device fabrication process and solves the problems of resolution, LWR, and exposure latitude.

  照片酸发生剂会产生一种含有笨重环状结构的磺酸基团和直链碳氢基团的磺酸，因此表现出受控的酸扩散行为和适度的活性。该PAG与树脂完全兼容，形成一个抗蚀剂组合物，在器件制造过程中表现良好，并解决了分辨率、LWR和曝光容限等问题。